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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-1997-0014674 (1997-04-21) |
공개번호 | 10-1998-0077517 (1998-11-16) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1019970014674 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사진행상태 | 취하(심사미청구) |
법적상태 | 취하 |
본 발명은 반도체장비의 현상시간 설정방법에 관한 것으로, 종래의 반도체장비의 현상시간 설정방법은 설정된 처리시간과 실제 공정상의 처리시간이 일치하지 않아서 피이비(Post-Exposure Bake)처리 시간의 지체에 따른 용제의 휘발정도 차이로 인해 레지스트의 분포에 영향을 주는 문제점과, 냉각시간의 지체로 인해 바로 다음 단계인 노광공정에서 노광율에 영향을 주는 문제점이 있었다. 이와같은 문제점을 감안한 본 발명은 현상방법의 피이비단계의 설정시간(PEBt)과, 냉각단계의 설정시간(COOt)과, 노광단계의 설정시간(DEVt)과, 열
피이비단계의 설정시간(PEBt)과, 냉각단계의 설정시간(COOt)과, 노광단계의 설정시간(DEVt)과, 열처리단계의 설정시간(BAKt)을 설정함에 있어서, PEBt≥COOt≥DEVt≥BAKt 의 조건을 만족하도록 상기 각 단계별 시간을 설정하는 것을 특징으로 하는 반도체장비의 현상시간 설정방법.
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