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[한국특허] 화학 증폭형 레지스트 패턴 형성 방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H01L-021/30
출원번호 10-1994-0014583 (1994-06-24)
공개번호 10-1996-0002593 (1996-01-26)
DOI http://doi.org/10.8080/1019940014583
발명자 / 주소
  • 문승찬 / 경기도이천군창전**리**-*현대아파트***-***
  • 민영홍 / 서울특별시서대문구연희*동**-**
출원인 / 주소
  • 주식회사 하이닉스반도체 / 경기 이천시 부발읍 아미리 산***-*
대리인 / 주소
  • 이정훈; 한양특허법인 (LEE, Jung Hoon)
  • 서울 강남구 역삼동 ***-** 한국타이어빌딩*-*층(특허법인태평양); 서울특별시 강남구 역삼동***-**큰길타워*층
심사진행상태 취하(심사미청구)
법적상태 취하

초록

본 발명은 반도체소자의 화학증폭형 레지스트 패턴 형성방법에 관한 것으로, PEB공정과 현상공정간의 지연시간에 따른 열에너지를 일정하게 제어하도록 하기 위하여 PEB공정과 현상공정사이에 쿨링공정을 추가한다. 그로 이하여 웨이퍼간에 CD 균일도 향상 및 공정안정화를 유지할 수 있는 기술이다.

대표청구항

화학증폭형 레지스트 패턴 형성방법에 있어서, 화학증폭형 레지스트 도포하는 공정단계와, 노광 고정단계와, PEB공정단계와, 쿨링 공정단계와, 현상 공정단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 화학증폭형 레지스트 패턴 형성방법.

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