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연합인증

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MOSFET 제조방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H01L-021/335
출원번호 10-1994-0019452 (1994-08-08)
공개번호 10-1996-0009068 (1996-03-22)
등록번호 10-0147255-0000 (1998-05-15)
DOI http://doi.org/10.8080/1019940019452
발명자 / 주소
  • 김경생 / 서울특별시영등포구당산동강남APT *-***
출원인 / 주소
  • 현대반도체 주식회사 / 충북 청주시 흥덕구 향정동 *번지
대리인 / 주소
  • 양순석 (YANG, Soon Seok)
  • 서울 강남구 역삼*동 ***-* 강남제일빌딩 ***호
심사청구여부 있음 (1994-08-08)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 소멸

초록

본 발명은 공정이 간단하며 셀프얼라인으로 게이트를 형성하는 MOSFET 제조방법에 관한 것이다.본 발명은 SOI MOSFET 제조방법에 있어서, 가)기판 위에 제1 및 제2절연막을 형성한 다음 사진식각공정으로 식각하여 활성영역이 될 부분의 기판을 오픈한 후, 제3절연막 및 제4절연막의 증착 및 에치백으로 사이드월을 형성하고 사이드월을 형성하는 제4절연막을 제거하는 단계와, 나)상기 제1, 2, 3절연막을 블러킹층으로 산화공정을 실시하여 오픈부위의 기판에 LOCOS 산화막을 형성하는 단계와, 다)산소 이온주입을 실시하고 열처리하여 메

대표청구항

SOI MOSFET 제조방법에 있어서, 가)기판 위에 제1 및 제2절연막을 형성한 다음 사진시각공정으로 식각하여 활성영역이 될부분의 기판을 오픈한 후, 제3절연막 및 제4절연막의 증착 및 에치백으로 사이드월을 형성하고 사이드월을 형성하는 제4절연막을 제거하는 단계와, 나)상기 제l, 2, 3절연막을 블러킹층으로 산화공정을 실시하여 오픈부위의 기판에 LOCOS 산화막을 형성하는 단계와, 다)산소 이온주입을 실시하고 열처리하여 메몰산화막층을 형성하는 단계와, 라)고농도 N형 이온주입을 실시하여 소오스 및 드레인영역을 형성하는 단계와,

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