초록 ▼

1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야반도체 소자의 제조 방법.2. 발명이 해결하려과 하는 기술적 과제질소 가스와 수소 가스를 이용한 종래의 반도체 소자의 금속 장벽층 어닐링 방법은 반응로의 온도를 상승시키는 과정에서의 열손실과 오버 슈트(Over Shoot)로 인한 온도변화를 안정화시키기 위한 시간과 온도를 감소시키는데 소요되는 시간이 많을 뿐만아니라 어닐링 수행시 사용되는 수소 가스는 자체의 폭발 위험성으로 인하여 장비의 잦은 인터록(Interlock)을 발생시키는 문제점을 해결하고자 함.3. 발명의 해결방법의 요지반응로

1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야반도체 소자의 제조 방법.2. 발명이 해결하려과 하는 기술적 과제질소 가스와 수소 가스를 이용한 종래의 반도체 소자의 금속 장벽층 어닐링 방법은 반응로의 온도를 상승시키는 과정에서의 열손실과 오버 슈트(Over Shoot)로 인한 온도변화를 안정화시키기 위한 시간과 온도를 감소시키는데 소요되는 시간이 많을 뿐만아니라 어닐링 수행시 사용되는 수소 가스는 자체의 폭발 위험성으로 인하여 장비의 잦은 인터록(Interlock)을 발생시키는 문제점을 해결하고자 함.3. 발명의 해결방법의 요지반응로의 온도를 소정의 온도로 일정하게 유지하고, 질소 가스 만을 사용하여 어닐링을 실시하고, 또한 질소 퍼지시스템을 이용한 질소 퍼지로 금속 장벽층에서의 자연 산화막 형성을 억제할 수 있는 반도체 소자의 금속 장벽층 어닐링 방법을 제공하고자 함.4. 발명의 중요한 용도반도체 소자의 금속 장벽층 어닐링에 이용됨.

대표청구항

질소 퍼지 시스템을 포함하는 CVD 장치를 이용한 반도체 소자의 금속 장벽층 어닐링 방법에 있어서, 반응로의 온도를 소정의 온도로 일정하게 유지시키는 단계와, 반응로에 웨이퍼를 밀어넣고, 소정의 시간동안 질소 가스 분위기의 어닐링을 실시하는 단계 및 상기 금속 장벽층에서의 자연 산화막 형성을 방지하기 위하여 웨이퍼를 꺼내는 동안 질소 가스를 이용한 퍼지를 실시하는 단계를 포함해서 이루어진 반도체 소자의 금속 장벽층 어닐링 방법.

질소 퍼지 시스템을 포함하는 CVD 장치를 이용한 반도체 소자의 금속 장벽층 어닐링 방법에 있어서, 반응로의 온도를 소정의 온도로 일정하게 유지시키는 단계와, 반응로에 웨이퍼를 밀어넣고, 소정의 시간동안 질소 가스 분위기의 어닐링을 실시하는 단계 및 상기 금속 장벽층에서의 자연 산화막 형성을 방지하기 위하여 웨이퍼를 꺼내는 동안 질소 가스를 이용한 퍼지를 실시하는 단계를 포함해서 이루어진 반도체 소자의 금속 장벽층 어닐링 방법.