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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2006-0082451 (2006-08-29) |
등록번호 | 10-0776154-0000 (2007-11-06) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020060082451 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2006-08-29) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 반도체 소자에서 신터 공정 조건을 변경하여 결함 제거가 용이하며 소자의 특성을 향상시킬 수 있는 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 반도체 소자의 제조 방법은, 반도체 기판 상에 트랜지스터 영역을 형성하는 단계와; 상기 반도체 기판 상에 보호막을 형성하는 단계와; 상기 보호막 상에 질화막을 형성하는 단계와; 상기 질화막이 형성된 반도체 기판은 1 ~ 10 torr 압력 조건, 250 ~ 450 ℃ 온도 조건에서 어닐링하는 단계를 포함한다.이로써 본 발명은 반도체 소자에서 보호막까지 형성한 후 수소 가
반도체 기판 상에 컬러 필터 어레이 및 트랜지스터들을 형성하는 단계와;상기 컬러 필터 어레이 및 상기 트랜지스터들을 덮는 층간 절연막을 형성하는 단계와;상기 층간 절연막 상에 본딩 패드를 형성하는 단계와;상기 반도체 기판 상에 보호막을 형성하는 단계와;상기 보호막 상에 질화막을 형성하는 단계와;상기 질화막이 형성된 반도체 기판을 신터(SINTER)용 가스를 사용하여 1 ~ 10 TORR 압력 조건, 250 ~ 450 ℃ 온도 조건에서 어닐링하여 신터 공정을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법.
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