[특허]반도체 장치의 트랜지스터 제조 방법

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반도체 장치의 트랜지스터 제조 방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC8판)	H01L-021/336
출원번호	10-1998-0029514 (1998-07-22)
공개번호	10-2000-0009239 (2000-02-15)
DOI	http://doi.org/10.8080/1019980029514
발명자 / 주소	이태정 / 경기도 수원시 팔달구 영통동 두산아파트 *동 *호 이수철 / 서울특별시 강남구 도곡동 **- 매봉 삼성아파트 Α동 **호 양정환 / 경기도 용인시 기흥읍 농서리 산 번지
출원인 / 주소	삼성전자주식회사 / 경기도 수원시 영통구 매탄동 ***
대리인 / 주소	권석흠; 리앤목특허법인; 정상빈 (KWON, Suk Heum) 서울 강남구 역삼동 *- 서림빌딩층 (유미특허법인); 서울 서초구 서초동*-번지 고려빌딩(리앤목 특허법인); 서울특별시 강남구 논현동 *** 영풍빌딩*층(특허법인가산)
심사진행상태	취하(심사미청구)
법적상태	취하

초록

반도체 장치의 트랜지스터(transistor) 제조 방법을 개시한다. 본 발명의 일 관점은, 반도체 기판 상에 게이트 패턴(gate pattern)을 형성한다. 게이트 패턴이 형성된 반도체 기판을 중수소(Deutrium;D) 분위기로 어닐링(annealing)한다. 중수소 분위기로 어닐링하는 단계는 대략 400℃ 내지 500℃ 정도의 온도 조건으로, 대략 1분 내지 60분 정도의 시간 동안 유지하여 수행된다. 중수소 분위기로 어닐링하는 단계 이전에, 게이트 패턴의 측벽에 스페이서(spacer)를 더 형성한다.

대표청구항

반도체 기판 상에 게이트 패턴을 형성하는 단계; 상기 게이트 패턴이 형성된 상기 반도체 기판을 중수소 분위기로 어닐링하는 단계; 및상기 어닐링된 게이트 패턴 또는 상기 어닐링된 반도체 기판을 덮어 확산 장벽의 역할을 하는 물질막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 트랜지스터 제조 방법.

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특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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구성항목	기본정보 상세정보 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표IPC 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 공고번호, 공고일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표출원인, 출원인국적, 출원인주소, 발명자, 발명자E, 발명자코드, 발명자주소, 발명자 우편번호, 발명자국적, 대표IPC, IPC코드, 요약, 미국특허분류, 대리인주소, 대리인코드, 대리인(한글), 대리인(영문), 국제공개일자, 국제공개번호, 국제출원일자, 국제출원번호, 우선권, 우선권주장일, 우선권국가, 우선권출원번호, 원출원일자, 원출원번호, 지정국, Citing Patents, Cited Patents
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