초록 ▼

본 발명은 비정질 실리콘을 다결정 실리콘으로 재결정화시키는 저온 어닐링 공정 중 수소플라즈마 분위기에서 자기장을 인가하여 막특성을 향상시키는 다결정 실리콘막 형성방법에 관한 것이다.이러한 본 발명의 다결정 실리콘막 형성방법은 기판위에 형성시킨 비정질 실리콘 막을 소결로의 온도를 소정 온도까지 상승시켜 소정시간 동안 어닐링하는 제1공정과, 제1공정 후, 다시 소결로의 온도를 소정량 만큼 서서히 상승시켜 소정온도에 도달한 때, 자기장을 인가하고 수소 플라즈마 분위기에서 소정시간 어닐링하는 제2공정과, 제2공정 후, 자기장을 제거하고,

본 발명은 비정질 실리콘을 다결정 실리콘으로 재결정화시키는 저온 어닐링 공정 중 수소플라즈마 분위기에서 자기장을 인가하여 막특성을 향상시키는 다결정 실리콘막 형성방법에 관한 것이다.이러한 본 발명의 다결정 실리콘막 형성방법은 기판위에 형성시킨 비정질 실리콘 막을 소결로의 온도를 소정 온도까지 상승시켜 소정시간 동안 어닐링하는 제1공정과, 제1공정 후, 다시 소결로의 온도를 소정량 만큼 서서히 상승시켜 소정온도에 도달한 때, 자기장을 인가하고 수소 플라즈마 분위기에서 소정시간 어닐링하는 제2공정과, 제2공정 후, 자기장을 제거하고, 수소 플라즈마 분위기에서 소정시간 어닐링하는 제3공정과, 제3공정후, 서서히 소결로의 온도를 하강시켜 상온까지 냉각하는 제4공정으로 이루어진 것을 특징으로 한다.

대표청구항

기판위에 형성시킨 비정실 실리콘 막을 소결로의 온도를 소정온도까지 상승시켜 소정시간 동안 어닐링하는 제1공정과, 상기 제1공정 후, 다시 소결로의 온도를 소정량 만큼 서서히 상승시켜 소정온도에 도달한 때, 자기장을 인가하고 수소 플라즈마 분위기에서 소정시간 어닐링하는 제2공정과, 상기 제2공정 후, 자기장을 제거하고, 수소 플라즈마 분위기에서 소정시간 어닐링하는 제3공정과, 상기 제3공정 후, 서서히 소결로의 온도를 하강시켜 상온까지 냉각하는 제4공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘막 형성방법.

기판위에 형성시킨 비정실 실리콘 막을 소결로의 온도를 소정온도까지 상승시켜 소정시간 동안 어닐링하는 제1공정과, 상기 제1공정 후, 다시 소결로의 온도를 소정량 만큼 서서히 상승시켜 소정온도에 도달한 때, 자기장을 인가하고 수소 플라즈마 분위기에서 소정시간 어닐링하는 제2공정과, 상기 제2공정 후, 자기장을 제거하고, 수소 플라즈마 분위기에서 소정시간 어닐링하는 제3공정과, 상기 제3공정 후, 서서히 소결로의 온도를 하강시켜 상온까지 냉각하는 제4공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘막 형성방법.