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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-1995-0029210 (1995-09-06) |
공개번호 | 10-1997-0017976 (1997-04-30) |
등록번호 | 10-0156145-0000 (1998-07-20) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1019950029210 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (1995-09-06) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
반도체 제조를 위한 저압화학기상 증착 공정시 투입되는 공정가스가 유동경로 상에서 충분히 고루 혼합된 후 반응챔버 내로 확산되어 웨이퍼 표면에 균일하게 증착될 수 있도록 한 것이다.이를 위해, 본 발명은 반응챔버의 벽(1)에 공정가스가 균일하게 혼합되도록 하는 격자형 유동경로(2)가 형성되고, 상기 반응챔버의 혼합가스 유출구(3)측에는 복수개의 혼합가스 확산공(4)이 형성된 캡형 디퓨저(5)가 설치되는 반도체 제조공정용 저압화학기상증착 장비의 공정가스 믹싱 및 확산장치이다.
반응챔버의 벽에 공정가스가 균일하게 혼합되도록 하는 격자형 유동경로가 형성되고, 상기 반응챔버의 혼합가스 유출구측에는 복수개의 혼합가스 확산공이 형성된 캡형 디퓨저가 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정용 저압화학기상증착 장비의 공정가스 믹싱 및 확산장치.
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