초록 ▼

1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야반도체 소자의 제조 방법.2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제현상액이 수성이기 때문에 압력에 의해 웨이퍼 상에 분사되는 동안 기포가 많이 발생하게 되어 상기 기포로 인한 균일한 패턴 형성이 어렵고, 또한 현상액에 포함되어 현상 되어진 포토레지스트와의 흡수성을 향상시키기 위한 계면 활성제 성분이 현상완료 후에도 제거되지않은 채 웨이퍼 표면에 잔존하여 소자의 전기적 특성을 저하시킨다는 문제점이 발생함.3. 발명의 해결방법의 요지웨이퍼에 현상 용액을 분사한후 과산화수소(H2O2)를 첨가하여

1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야반도체 소자의 제조 방법.2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제현상액이 수성이기 때문에 압력에 의해 웨이퍼 상에 분사되는 동안 기포가 많이 발생하게 되어 상기 기포로 인한 균일한 패턴 형성이 어렵고, 또한 현상액에 포함되어 현상 되어진 포토레지스트와의 흡수성을 향상시키기 위한 계면 활성제 성분이 현상완료 후에도 제거되지않은 채 웨이퍼 표면에 잔존하여 소자의 전기적 특성을 저하시킨다는 문제점이 발생함.3. 발명의 해결방법의 요지웨이퍼에 현상 용액을 분사한후 과산화수소(H2O2)를 첨가하여 상기 과산화수소의 산화력과 반응 부산물로 현상액의 기포와 계면활성제를 제거할 수 있는 반도체 소자의 포토레지스트 현상 방법을 제공하고자함.4. 발명의 중요한 용도반도체 소자의 제조, 특히 반도체 소자의 포토레지스트 현상에 이용됨.

대표청구항

반도체 소자의 포토레지스트 현상방법에 있어서, 웨이퍼 상에 소정의 패턴 형성을 위한 포토레지스트층이 형성된 전체구조 상부에 현상액을 분사하는 단계와, 상기 현상액을 분사하고 소정의 시간이 경과한 후에 소정 양의 과산화수소를 분사하는 단계와, 전체구조상부에 세척액을 분사하고, 상기 웨이퍼를 건조시키는 단계를 포함해서 이루어진 반도체 소자의 포토레지스트 현상 방법.

반도체 소자의 포토레지스트 현상방법에 있어서, 웨이퍼 상에 소정의 패턴 형성을 위한 포토레지스트층이 형성된 전체구조 상부에 현상액을 분사하는 단계와, 상기 현상액을 분사하고 소정의 시간이 경과한 후에 소정 양의 과산화수소를 분사하는 단계와, 전체구조상부에 세척액을 분사하고, 상기 웨이퍼를 건조시키는 단계를 포함해서 이루어진 반도체 소자의 포토레지스트 현상 방법.