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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-1995-0062167 (1995-12-28) |
공개번호 | 10-1997-0053454 (1997-07-31) |
등록번호 | 10-0190000-0000 (1999-01-19) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1019950062167 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (1995-12-28) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
딥 트렌치와 샐로우 트렌치 조합형 소자분리 구조 및 그 제조방법에 대해 기재되어 있다. 반도체기판에 정의된 소자분리영역과 소자형성영역,소자분리영역의 반도체기판 내에 형성되되, 서로 다른 깊이를 갖는 제1트렌치와 제2트렌치 및 제1트렌치와 제2트렌치 내부에 매립된 절연물질의 매몰층을 구비하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 종래 열산화에 의해 발생된 결함으로 인하여 소자의 누설전류가 증가되던 것을 개선할 수 있어서, 반도체소자의 신뢰성 향상을 기할 수 있다.
반도체기판에 정의된 소자분리영역과 소자형성영역 : 상기 소자분리영역의 반도체기판내에 형성되되, 서로 다른 깊이를 갖는 제1트렌치와 제2트렌치; 및 상기 제1트렌치와 제2트렌치 내부에 매립된 절연물질의 매몰층을 구비하는 것을 특징으로 하는 딥 트렌치와 샐로우 트렌치 조합형 소자분리 구조.
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