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딥 트렌치와 샐로우 트렌치 조합형 소자분리 구조 및그제조방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H01L-021/76
출원번호 10-1995-0062167 (1995-12-28)
공개번호 10-1997-0053454 (1997-07-31)
등록번호 10-0190000-0000 (1999-01-19)
DOI http://doi.org/10.8080/1019950062167
발명자 / 주소
  • 안동호 / 경기도 안산시 고잔동 주공아파트 **동 ***호
출원인 / 주소
  • 삼성전자주식회사 / 경기도 수원시 영통구 매탄동 ***
대리인 / 주소
  • 권석흠; 노민식; 이영필 (KWON, Suk Heum)
  • 서울 강남구 역삼동 ***-** 서림빌딩**층 (유미특허법인); 서울 서초구 서초*동 ****-** 청화빌딩 이영필 특허법률사무소; 서울 서초구 서초동 ****-* (리앤목 특허법인)
심사청구여부 있음 (1995-12-28)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 소멸

초록

딥 트렌치와 샐로우 트렌치 조합형 소자분리 구조 및 그 제조방법에 대해 기재되어 있다. 반도체기판에 정의된 소자분리영역과 소자형성영역,소자분리영역의 반도체기판 내에 형성되되, 서로 다른 깊이를 갖는 제1트렌치와 제2트렌치 및 제1트렌치와 제2트렌치 내부에 매립된 절연물질의 매몰층을 구비하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 종래 열산화에 의해 발생된 결함으로 인하여 소자의 누설전류가 증가되던 것을 개선할 수 있어서, 반도체소자의 신뢰성 향상을 기할 수 있다.

대표청구항

반도체기판에 정의된 소자분리영역과 소자형성영역 : 상기 소자분리영역의 반도체기판내에 형성되되, 서로 다른 깊이를 갖는 제1트렌치와 제2트렌치; 및 상기 제1트렌치와 제2트렌치 내부에 매립된 절연물질의 매몰층을 구비하는 것을 특징으로 하는 딥 트렌치와 샐로우 트렌치 조합형 소자분리 구조.

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