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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2020-0161878 (2020-11-27) | |
공개번호 | 10-2021-0132574 (2021-11-04) | |
등록번호 | 10-2583440-0000 (2023-09-22) | |
우선권정보 | 미국(US) 63/014,856 (2020-04-24);미국(US) 17/017,854 (2020-09-11) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020200161878 | |
발명자 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2020-11-27) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 개시는 후면 딥 트렌치 격리(back-side deep trench isolation; BDTI) 구조물로 둘러싸인 포토다이오드를 갖는 이미지 센서 및 관련 형성 방법에 관한 것이다. 일부 실시예에서, 복수의 픽셀 영역은 이미지 감지 다이 내에 배치되고 각각 방사선을 전기 신호로 변환하도록 구성된 포토다이오드를 포함한다. 포토다이오드는 제1 도핑 유형과는 상이한 제2 도핑 유형을 갖는 포토다이오드 도핑 층으로 둘러싸인 제1 도핑 유형을 갖는 포토다이오드 도핑 컬럼(photodiode doping column)을 포함한다. BDT
이미지 센서를 형성하는 방법에 있어서, 이미지 감지 다이의 전면으로부터 복수의 픽셀 영역에 대한 복수의 포토다이오드를 형성하는 단계 - 포토다이오드는, 제1 도핑 유형과는 상이한 제2 도핑 유형을 갖는 포토다이오드 도핑 층으로 둘러싸인 상기 제1 도핑 유형을 갖는 포토다이오드 도핑 컬럼(column)을 갖도록 형성됨 -;상기 이미지 감지 다이의 후면으로부터 상기 포토다이오드 도핑 층 내의 인접한 픽셀 영역들 사이에 딥 트렌치(deep trench)를 형성하는 단계 - 상기 딥 트렌치의 에칭 동안 상기 딥 트렌치에 노출된 상기 포토다
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