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| 국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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| 국제특허분류(IPC8판) |
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| 출원번호 | 10-2014-0115437 (2014-09-01) | |
| 공개번호 | 10-2015-0026992 (2015-03-11) | |
| 우선권정보 | 미국(US) 14/016,949 (2013-09-03) | |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1020140115437 | |
| 발명자 / 주소 |
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| 출원인 / 주소 |
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| 대리인 / 주소 |
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| 심사청구여부 | 있음 (2014-09-01) | |
| 심사진행상태 | 거절결정(재심사) | |
| 법적상태 | 거절 |
이미지-센서 디바이스를 형성하기 위한 매커니즘들의 실시예들이 제공된다.이미지-센서 디바이스는 전면 표면 및 배면 표면을 갖는 기판을 포함한다.이미지-센서 디바이스는 또한 배면 표면을 통해 기판에 진입하는 입사 방사선을 검출하도록 동작 가능한 방사선 감지 영역을 포함한다.이미지-센서 디바이스는 또한 기판 내에 그리고 방사선-감지 영역에 인접하게 형성되는 도핑된 격리 영역을 포함한다.또한, 이미지-센서 디바이스는 도핑된 격리 영역에 형성되는 딥-트렌치 격리 구조를 포함한다.딥-트렌치 격리 구조는 배면 표면으로부터 연장되는 트렌치 및 이
이미지-센서 디바이스로서,전면 표면(front surface) 및 배면 표면을 갖는 기판;상기 배면 표면을 통해 상기 기판에 진입하는 입사 방사선(incident radiation)을 검출하도록 동작 가능한 방사선-감지 영역;상기 방사선-감지 영역에 인접하고 상기 기판에 형성되는 도핑된 격리 영역; 및상기 도핑된 격리 영역에 형성되는 딥-트렌치 격리 구조(deep-trench isolation structure)를 포함하고,상기 딥-트렌치 격리 구조는,상기 배면 표면으로부터 상기 도핑된 격리 영역 내로 연장되는 트렌치; 및상기 트렌
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