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[한국특허] 웨이퍼 세정방법
METHOD FOR CLEANING WAFER
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IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H01L-021/304
출원번호 10-1995-0065646 (1995-12-29)
공개번호 10-1997-0052692 (1997-07-29)
등록번호 10-0208430-0000 (1999-04-15)
DOI http://doi.org/10.8080/1019950065646
발명자 / 주소
  • 김학묵 / 경기도 이천군 대월면 사동리 ***-* 현대사원 APT ***-****
출원인 / 주소
  • 주식회사 하이닉스반도체 / 경기 이천시 부발읍 아미리 산***-*
대리인 / 주소
  • 신영무; 최승민 (SHIN, Young Moo)
  • 서울 중구 순화동 *-*** 에이스타워 *층; 서울 중구 순화동 *-*** 에이스타워 *층
심사청구여부 있음 (1995-12-29)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 소멸

초록

본 발명은 웨이퍼의 세정방법을 제공하는 것으로, 순수를 전기분해하여 얻어진 양극수 및 음극수를 이용한 전해이온수 세정방법으로 유기물 및 무기물을 제거하므로서 공정의 단순화로 시간을 단축시키고, 화학약품 소비감소 및 세정장비의 소형화로 인하여 소자의 수율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

대표청구항

웨이퍼 세정방법에 있어서, 전해이온수 세정방법으로 유기물 및 무기물을 제거하는 단계와, 상기 단계로부터 순수를 이용한 최종세정을 하는 단계와, 상기 단계로부터 웨이퍼를 건조하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정방법.

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