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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-1996-0024015 (1996-06-26) |
공개번호 | 10-1998-0005787 (1998-03-30) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1019960024015 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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심사진행상태 | 취하(심사미청구) |
법적상태 | 취하 |
반도체 장치의 패드부와 퓨즈부를 동시에 노출시키기 위한 반도체 제조 공정에 관하여 기재하고 있다. 이는, O2와 CHF3가스를 사용하는 플라즈마 식각 공정이 산화막 식각에 대한 금속층의 식각 선택비가 10:1 이상으로 유지되는 조건하에서 수행되는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 퓨즈부를 노출시키기 위하여 산화막을 제거할 때 금속층의 소모량을 감소시킴으로써 이 후의 공정에 의하여 와이어 본딩이 원활하게 수행된다.
소정 이상의 단차를 갖는 퓨즈부와 패드부를 노출시키기 위한 반도체 제조 공정에 있어서, O2와 CHF3가스를 사용하는 플라즈마 식각 공정이 산화막 식각에 대한 금속층의 식각 선택비가 10:1 이상으로 유지되는 조건하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 공정.
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