초록 ▼

본 발명은 에스.오.아이.(Silicon On Insulator, 이하에서 SOI 라 함 ) 웨이퍼 제조방법에 있어서, 열산화막이 형성된 제1웨이퍼와 산소이온 및 수소이온 주입영역이 형성된 제2웨이퍼을 접합시키고 열처리한 다음, 상기 수소이온 주입영역을 절단면으로 분리하고 별도의 열처리공정으로 상기 제1웨이퍼의 화학적 결합을 강화시키며 상기 제2웨이퍼의 산소이온 주입영역을 산화막으로 형성한 다음, 상기 제1웨이퍼와 제2웨이퍼의 표면을 평탄화시킴으로써 제1,2 SOI 웨이퍼를 형성하는 것과 같이 두개의 웨이퍼를 이용하여 두개의 SOI

본 발명은 에스.오.아이.(Silicon On Insulator, 이하에서 SOI 라 함 ) 웨이퍼 제조방법에 있어서, 열산화막이 형성된 제1웨이퍼와 산소이온 및 수소이온 주입영역이 형성된 제2웨이퍼을 접합시키고 열처리한 다음, 상기 수소이온 주입영역을 절단면으로 분리하고 별도의 열처리공정으로 상기 제1웨이퍼의 화학적 결합을 강화시키며 상기 제2웨이퍼의 산소이온 주입영역을 산화막으로 형성한 다음, 상기 제1웨이퍼와 제2웨이퍼의 표면을 평탄화시킴으로써 제1,2 SOI 웨이퍼를 형성하는 것과 같이 두개의 웨이퍼를 이용하여 두개의 SOI 웨이퍼를 제조할 수 있으며 공정을 단순화시켜 SOI 소자 제조의 생산성을 향상시킬 수 있는 기술이다.

대표청구항 ▼

두개의 웨이퍼를 이용하여 SOI 웨이퍼를 제조하는 방법에 있어서, 상기 제1웨이퍼 상부에 열산화막을 소정두께 형성하는 공정과, 상기 제2웨이퍼에 산소이온을 이온주입하여 산소이온 주입영역을 형성하는 공정과, 상기 제2웨이퍼에 수소이온을 이온주입하여 수소이온 주입영역을 형성하되, 상기 산소이온 주입영역보다 얕게 형성하는 공정과, 상기 제1웨이퍼에 상기 제2웨이퍼를 접합시키되, 상기 제2웨이퍼의 상측을 상기 제1웨이퍼의 열산화막 상부로 접합시키는 공정과, 상기 접합된 웨이퍼를 열처리하는 공정과, 상기 수소이온 주입영역을 절단면으로 하여

두개의 웨이퍼를 이용하여 SOI 웨이퍼를 제조하는 방법에 있어서, 상기 제1웨이퍼 상부에 열산화막을 소정두께 형성하는 공정과, 상기 제2웨이퍼에 산소이온을 이온주입하여 산소이온 주입영역을 형성하는 공정과, 상기 제2웨이퍼에 수소이온을 이온주입하여 수소이온 주입영역을 형성하되, 상기 산소이온 주입영역보다 얕게 형성하는 공정과, 상기 제1웨이퍼에 상기 제2웨이퍼를 접합시키되, 상기 제2웨이퍼의 상측을 상기 제1웨이퍼의 열산화막 상부로 접합시키는 공정과, 상기 접합된 웨이퍼를 열처리하는 공정과, 상기 수소이온 주입영역을 절단면으로 하여 상기 제1,2웨이퍼를 분리함으로써 제1 SOI 웨이퍼와 산소이온 주입영역이 형성된 하나의 베어 웨이퍼를 형성하는 공정과, 상기 제1 SOI 웨이퍼를 열처리하여 화학적 결합을 강화시키는 공정과, 상기 베어 웨이퍼를 열처리하여 상기 산소이온 주입영역을 산화시킴으로써 산화막을 형성하여 제2 SOI 웨이퍼를 형성하는 공정과, 상기 두개의 SOI 웨이퍼 표면을 평탄화시키는 공정을 포함하는 SOI 웨이퍼 제조방법.