초록 ▼

본 발명은, SOI 웨이퍼를 제작하는 SOI 웨이퍼의 제조방법에 있어서, 본드 웨이퍼의 접합면과 베이스 웨이퍼의 접합면의 적어도 한쪽 표면에 플라즈마 처리를 실시한 후에 산화막을 개재하여 접합을 행하고, 박리 열처리에서는, 250℃ 이하의 온도에서 2시간 이상의 열처리를 행하는 제1 단계와, 400℃ 이상 450℃ 이하의 온도에서 30분 이상의 열처리를 행하는 제2 단계를 행함으로써, 이온주입층에서 본드 웨이퍼를 박리하는 것을 특징으로 하는 SOI 웨이퍼의 제조방법이다.이에 따라, SOI층 막두께 범위가 작고, SOI층 표면의 표면

본 발명은, SOI 웨이퍼를 제작하는 SOI 웨이퍼의 제조방법에 있어서, 본드 웨이퍼의 접합면과 베이스 웨이퍼의 접합면의 적어도 한쪽 표면에 플라즈마 처리를 실시한 후에 산화막을 개재하여 접합을 행하고, 박리 열처리에서는, 250℃ 이하의 온도에서 2시간 이상의 열처리를 행하는 제1 단계와, 400℃ 이상 450℃ 이하의 온도에서 30분 이상의 열처리를 행하는 제2 단계를 행함으로써, 이온주입층에서 본드 웨이퍼를 박리하는 것을 특징으로 하는 SOI 웨이퍼의 제조방법이다.이에 따라, SOI층 막두께 범위가 작고, SOI층 표면의 표면거칠기가 작고, 테라스부의 형상이 매끄러우며, SOI층에 보이드나 블리스터 등의 결함이 없는 SOI 웨이퍼를 제조하는 방법을 제공할 수 있다.

대표청구항 ▼

실리콘 단결정 웨이퍼로 이루어지는 본드 웨이퍼의 표면으로부터 수소이온을 주입하여 이온주입층을 형성하고, 이 본드 웨이퍼의 이온주입한 표면과, 실리콘 단결정 웨이퍼로 이루어지는 베이스 웨이퍼 표면을, 열처리로에서 성장시킨 열산화막을 개재하여 접합한 후, 박리 열처리를 행하여 상기 이온주입층에서 본드 웨이퍼를 박리함으로써 SOI 웨이퍼를 제작하는 이온주입 박리법에 의한 SOI 웨이퍼의 제조방법에 있어서,상기 본드 웨이퍼의 접합면과 상기 베이스 웨이퍼의 접합면의 적어도 한쪽 표면에 플라즈마 처리를 실시한 후에 상기 열산화막을 개재하여 접

실리콘 단결정 웨이퍼로 이루어지는 본드 웨이퍼의 표면으로부터 수소이온을 주입하여 이온주입층을 형성하고, 이 본드 웨이퍼의 이온주입한 표면과, 실리콘 단결정 웨이퍼로 이루어지는 베이스 웨이퍼 표면을, 열처리로에서 성장시킨 열산화막을 개재하여 접합한 후, 박리 열처리를 행하여 상기 이온주입층에서 본드 웨이퍼를 박리함으로써 SOI 웨이퍼를 제작하는 이온주입 박리법에 의한 SOI 웨이퍼의 제조방법에 있어서,상기 본드 웨이퍼의 접합면과 상기 베이스 웨이퍼의 접합면의 적어도 한쪽 표면에 플라즈마 처리를 실시한 후에 상기 열산화막을 개재하여 접합을 행하고,상기 박리 열처리에서는, 250℃ 이하의 온도에서 2시간 이상의 열처리를 행하는 제1 단계와, 400℃ 이상 450℃ 이하의 온도에서 30분 이상의 열처리를 행하는 제2 단계를 행함으로써, 상기 이온주입층에서 상기 본드 웨이퍼를 박리하는 것을 특징으로 하는 SOI 웨이퍼의 제조방법.