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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-1996-0063142 (1996-12-09) |
공개번호 | 10-1998-0044985 (1998-09-15) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1019960063142 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (1996-12-09) |
심사진행상태 | 거절결정(일반) |
법적상태 | 거절 |
본 발명은 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 포화 드레인 전류의 량을 증가시키기 위하여 드레인측의 부도체층을 소오스측보다 얇게 형성하므로써 일정한 게이트 전압 조건하에서의 포화 드레인 전압이 증가될 수 있도록 한 금속-부도체-반도체 전계효과 트랜지스터(Metal-Insulator-Semiconductor Field Effect Transistor)의 구조와 그 제조 공정에 관한 것이다.
소오스 및 드레인이 형성된 반도체 기판과,상기 소오스 및 드레인 사이의 상기 반도체 기판상에 형성되며 상기 반도체 기판과는 부도체층에 의해 전기적으로 분리되는 게이트로 이루어지는 전계효과 트랜지스터에 있어서,상기 부도체층의 두께가 불균일하게 형성된 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터.제 1 항에 있어서,상기 부도체층은 상기 드레인측보다 상기 소오스측이 두껍게 형성된 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터.제 1 항에 있어서,상기 게이트는 금속으로 형성된 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터.전계효과 트랜지스터 제조 방법에 있어
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