초록

본 발명은 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 포화 드레인 전류의 량을 증가시키기 위하여 드레인측의 부도체층을 소오스측보다 얇게 형성하므로써 일정한 게이트 전압 조건하에서의 포화 드레인 전압이 증가될 수 있도록 한 금속-부도체-반도체 전계효과 트랜지스터(Metal-Insulator-Semiconductor Field Effect Transistor)의 구조와 그 제조 공정에 관한 것이다.

대표청구항 ▼

소오스 및 드레인이 형성된 반도체 기판과,상기 소오스 및 드레인 사이의 상기 반도체 기판상에 형성되며 상기 반도체 기판과는 부도체층에 의해 전기적으로 분리되는 게이트로 이루어지는 전계효과 트랜지스터에 있어서,상기 부도체층의 두께가 불균일하게 형성된 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터.제 1 항에 있어서,상기 부도체층은 상기 드레인측보다 상기 소오스측이 두껍게 형성된 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터.제 1 항에 있어서,상기 게이트는 금속으로 형성된 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터.전계효과 트랜지스터 제조 방법에 있어

소오스 및 드레인이 형성된 반도체 기판과,상기 소오스 및 드레인 사이의 상기 반도체 기판상에 형성되며 상기 반도체 기판과는 부도체층에 의해 전기적으로 분리되는 게이트로 이루어지는 전계효과 트랜지스터에 있어서,상기 부도체층의 두께가 불균일하게 형성된 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터.제 1 항에 있어서,상기 부도체층은 상기 드레인측보다 상기 소오스측이 두껍게 형성된 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터.제 1 항에 있어서,상기 게이트는 금속으로 형성된 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터.전계효과 트랜지스터 제조 방법에 있어서,사진 공정을 이용하여 반도체 기판의 소오스와 드레인 영역을 가각 노출시킨 후 노출된 상기 반도체 기판에 불순물 이온 주입하여 소오스 및 드레인을 각각 형성하는 단계와,상기 반도체 기판상에 저항성 접촉을 위한 금속을 증착한 후 열처리 공정을 실시하는 단계와,상기 반도체 기판상에 상기 드레인측과 상기 소오스측의 두께가 서로 다른 부도체층을 형성하는 단계와,상기 소오스 및 드레인간의 상기 반도체 기판상에만 상기 부도체층을 잔류시킨 후 잔류된 상기 부도체층상에 게이트를 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조 방법.제 4 항에 있어서,상기 부도체층은 상기 드레인측보다 상기 소오스측이 두껍게 형성된 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터 제조 방법.제 4 항에 있어서,상기 부도체층의 두께 차이는 상기 반도체 기판의 부도체 형성 온도차에 의해 발생되는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터 제조 방법.제 6 항에 있어서, 상기 반도체 기판의 온도차는 부분적인 적외선 레이져 빔의 조사에 의해 발생되는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터 제조 방법.제 7 항에 있어서,상기 적외선 레이져 빔은 상기 소오스측의 반도체 기판에만 조사되는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터 제조 방법.제 6 항에 있어서,상기 반도체 기판의 온도차는 렌즈에 의해 집적된 적외선 빔의 부분적인 조사에 의해 발생되는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터 제조 방법.제 9 항에 있어서,상기 렌즈에 의해 집적된 적외선 빔은 상기 소오스측의 반도체 기판에만 조사되는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터 제조 방법.제 4 항에 있어서,상기 게이트는 금속으로 형성된 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터 제조 방법.