초록 ▼

본 발명은 전극을 톱니모양으로 형성하여 큰 정전용량을 얻을 수 있을 뿐만 아니라 지지대를 ㄹ자 형태로 형성하여 지지대의 탄성계수를 증가시켜 정전용량의 변화량을 증가시킴으로써, 정확하게 가속도를 측정할 수 있고, 저렴하고 대량생산이 가능한 반도체 습도센서 및 그의 제조방법에 관한 것이다.본 발명의 반도체 가속도센서의 제조방법은 제1실리콘 기판상에 절연막을 형성하는 공정과, 통상의 사진식각공정으로 제2절연막과 제1실리콘 기판의 중심부를 사진식각하는 공정과, 절연막과 제2실리콘 기판을 접착시키는 공정과, 중심부를 제외한 제2실리콘 기판상

본 발명은 전극을 톱니모양으로 형성하여 큰 정전용량을 얻을 수 있을 뿐만 아니라 지지대를 ㄹ자 형태로 형성하여 지지대의 탄성계수를 증가시켜 정전용량의 변화량을 증가시킴으로써, 정확하게 가속도를 측정할 수 있고, 저렴하고 대량생산이 가능한 반도체 습도센서 및 그의 제조방법에 관한 것이다.본 발명의 반도체 가속도센서의 제조방법은 제1실리콘 기판상에 절연막을 형성하는 공정과, 통상의 사진식각공정으로 제2절연막과 제1실리콘 기판의 중심부를 사진식각하는 공정과, 절연막과 제2실리콘 기판을 접착시키는 공정과, 중심부를 제외한 제2실리콘 기판상에 알루미늄 패턴을 형성하는 공정과, 제2실리콘 기판을 제1실리콘 기판의 식각된 부분 및 절연막이 완전히 노출될 때까지 식각하여 상,하부에 톱니모양의 고정전극 및 고정전극사이에 톱니모양의 이동전극 및 이동전극을 지지하는 ㄹ 형태의 지지대를 형성하는 공정을 포함한다.

대표청구항 ▼

제1실리콘 기판(11)상에 절연막(12)을 형성하는 공정과,통상의 사진식각공정으로 제2절연막(12)과 제1실리콘 기판(11)의 중심부(13)를 사진식각하는 공정과,절연막(12)과 제2실리콘 기판(22)을 접착시키는 공정과,중심부(13)를 제외한 제2실리콘 기판(22)상에 알루미늄 패턴(22a, 22b, 22c)를 형성하는 공정과,제2실리콘 기판(21)을 상, 하부에 톱니모양의 고정전극(23) 및 고정전극(23) 사이에 톱니모양의 이동전극(25) 및 이동전극(25)를 지지하는 ㄹ 형태의 지지대를 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로

제1실리콘 기판(11)상에 절연막(12)을 형성하는 공정과,통상의 사진식각공정으로 제2절연막(12)과 제1실리콘 기판(11)의 중심부(13)를 사진식각하는 공정과,절연막(12)과 제2실리콘 기판(22)을 접착시키는 공정과,중심부(13)를 제외한 제2실리콘 기판(22)상에 알루미늄 패턴(22a, 22b, 22c)를 형성하는 공정과,제2실리콘 기판(21)을 상, 하부에 톱니모양의 고정전극(23) 및 고정전극(23) 사이에 톱니모양의 이동전극(25) 및 이동전극(25)를 지지하는 ㄹ 형태의 지지대를 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 가속도센서.