초록 ▼

본 발명은 트렌치 아이솔레이션의 절연막 충전 및 후속 평탄화 공정을 단순화할 수 있는 SIMOX를 이용한 반도체 장치의 소자 격리 영역 형성 방법에 관한 것으로, 반도체 기판 상에 완충 산화막 및 식각 저지층, 그리고 포토레지스트 패턴을 순차적으로 형성하는 공정과, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 사용하여 상기 완충 산화막의 상부 표면이 노출되도록 상기 식각 저지층을 식각하는 공정과, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 사용하고, 상기 반도체 기판에 O2를 주입하여 상기 반도체 기판 내에 O2 불순물 영역을 형성하는 공정과, 상기

본 발명은 트렌치 아이솔레이션의 절연막 충전 및 후속 평탄화 공정을 단순화할 수 있는 SIMOX를 이용한 반도체 장치의 소자 격리 영역 형성 방법에 관한 것으로, 반도체 기판 상에 완충 산화막 및 식각 저지층, 그리고 포토레지스트 패턴을 순차적으로 형성하는 공정과, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 사용하여 상기 완충 산화막의 상부 표면이 노출되도록 상기 식각 저지층을 식각하는 공정과, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 사용하고, 상기 반도체 기판에 O2를 주입하여 상기 반도체 기판 내에 O2 불순물 영역을 형성하는 공정과, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 사용하고, 상기 O2 불순물 영역이 노출되도록 상기 반도체 기판을 식각하여 트렌치를 형성하는 공정과, 상기 포토레지스트 패턴을 제거한 후, 상기 트렌치를 포함하여 상기 식각 저지층 상에 SiO2막을 형성하는 공정과, 상기 식각 저지층의 상부 표면이 노출되도록 상기 SiO2막을 식각하는 공정과, 상기 SiO2막을 포함하여 상기 반도체 기판을 열처리하는 공정을 포함한다. 이와 같은 SIMOX를 이용한 반도체 장치의 소자 격리 영역 형성 방법에 의해서, 트렌치 아이솔레이션의 절연막 충전 및 후속 평탄화 공정을 단순화할 수 있다.

대표청구항 ▼

반도체 기판(10)상에 제 1 절연막(12) 및 제 2 절연막(14), 그리고 포토레지스트 패턴(16)을 순차적으로 형성하는 공정과;상기 포토레지스트 패턴(16)을 마스크로 사용하여 상기 제 1 절연막(12)의 상부 표면이 노출되도록 상기 제 2 절연막(14)을 식각하는 공정과;상기 포토레지스트 패턴(16)을 마스크로 사용하고, 상기 반도체 기판(10)에 불순물 이온(18)을 주입하여 상기 반도체 기판(10)내에 불순물 영역(20)을 형성하는 공정과;상기 포토레지스트 패턴(16)을 마스크로 사용하고, 상기 불순물 영역(20)이 노출

반도체 기판(10)상에 제 1 절연막(12) 및 제 2 절연막(14), 그리고 포토레지스트 패턴(16)을 순차적으로 형성하는 공정과;상기 포토레지스트 패턴(16)을 마스크로 사용하여 상기 제 1 절연막(12)의 상부 표면이 노출되도록 상기 제 2 절연막(14)을 식각하는 공정과;상기 포토레지스트 패턴(16)을 마스크로 사용하고, 상기 반도체 기판(10)에 불순물 이온(18)을 주입하여 상기 반도체 기판(10)내에 불순물 영역(20)을 형성하는 공정과;상기 포토레지스트 패턴(16)을 마스크로 사용하고, 상기 불순물 영역(20)이 노출되도록 상기 반도체 기판(10)을 식각하여 트렌치(22)를 형성하는 공정과;상기 포토레지스트 패턴(16)을 제거하는 공정과;상기 트렌치(22)를 포함하여 상기 제 2 절연막(14)상에 제 3 절연막(24)을 형성하는 공정과;상기 제 2 절연막(14)의 상부 표면이 노출되도록 상기 제 3 절연막(24)을 식각하는 공정과;상기 제 3 절연막(24)을 포함하여 상기 반도체 기판(10)을 열처리하는 공정을 포함하는 SIMOX를 이용한 반도체 장치의 소자 격리 영역 형성 방법.