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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-1998-0000551 (1998-01-12) |
공개번호 | 10-1999-0065307 (1999-08-05) |
등록번호 | 10-0510447-0000 (2005-08-19) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1019980000551 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2002-12-20) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 반도체 소자 및 이를 제조하는 방법에 관한 것으로, 특히 반전 영역과 비반전 영역 사이의 광 세기 차이를 없앨 수 있는 반도체 소자의 위상 반전 마스크 및 그 제조방법에 관한 것이다. 규칙적인 패턴들이 마스크의 셀 어레이 영역 전체에 걸쳐 형성되어 있고, 패턴들 사이에 반전 영역과 비반전 영역이 교대로 형성되어 있는 위상 반전 마스크에 있어서, 반전 영역의 폭은 상기 비반전 영역의 폭보다 크고, 패턴들은 광 투과율이 조절된 물질로 형성되어 있다. 광 투과율이 조절된 물질로 광 투과율이 0% 이상 30% 미만인 것으로, 예
규칙적인 패턴들이 마스크의 셀 어레이 영역 전체에 걸쳐 형성되어 있고, 상기 패턴들 사이에 반전 영역과 비반전 영역이 교대로 형성되어 있는 위상 반전 마스크에 있어서,상기 반전 영역의 폭은 상기 비반전 영역의 폭보다 크고, 상기 패턴들은 광 투과율이 조절된 물질로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 위상 반전 마스크.제1항에 있어서,상기 광 투과율이 조절된 물질은 반전 영역과 비반전 영역 사이의 광 세기 차이를 보상할 수 있는 물질인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 위상 반전 마스크.제2항에 있어서,상기 광 투과율이
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