초록 ▼

히터 블록의 간단한 구조 개선을 통하여 웨이퍼간에 균일한 플라즈마가 배분될 수 있도록 함으로써 대면적의 챔버내에 유기되는 플라즈마 밀도의 전위 차를 방지할 수 있는 저온 공정이 가능한 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)장비의 프로세스 챔버가 개시된다. 본 발명은 챔버내의 가스입자들을 이온화하기 위한 주 전원으로서 RF 파워를 사용하는 고주파 발생기와, 상기 RF 파워에 의해 발생한 양이온들을 웨이퍼 측으로 가속시키기 위한 저주파 발생기로 이원화된 플라즈마 소스를 사용한다. 복수의

히터 블록의 간단한 구조 개선을 통하여 웨이퍼간에 균일한 플라즈마가 배분될 수 있도록 함으로써 대면적의 챔버내에 유기되는 플라즈마 밀도의 전위 차를 방지할 수 있는 저온 공정이 가능한 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)장비의 프로세스 챔버가 개시된다. 본 발명은 챔버내의 가스입자들을 이온화하기 위한 주 전원으로서 RF 파워를 사용하는 고주파 발생기와, 상기 RF 파워에 의해 발생한 양이온들을 웨이퍼 측으로 가속시키기 위한 저주파 발생기로 이원화된 플라즈마 소스를 사용한다. 복수의 웨이퍼들을 안착시키는 대구경의 히터 블록은, 그 내부에 복수의 히터들이 내장되는 전도성 히터 몸체 및 상기 히터 몸체를 지지하기 위해 히터 본체의 중앙부에 형성되며 상기 히터 몸체와 접하는 상면부위에 전도체로 이루어진 접속수단을 포함하는 비전도성 지지대를 구비한다. 상기 접속수단의 양단에 형성된 저주파 연결부 및 션트 연결부를 통하여 상기 저주파 발생기 및 이 저주파 발생기의 잡음을 억제하기 위한 션트(shunt)부가 각각 연결됨으로써, 상기 대구경의 히터 블록에 균일하고 안정된 플라즈마를 공급한다.

대표청구항 ▼

웨이퍼들에 각각 대응하여 대향 설치된 샤워 헤드에 가스 입자들을 이온화하기 위한 주 전원으로서 RF 파워를 사용하는 고주파 발생기가 접속되며, 상기 웨이퍼들이 안착되는 히터 블록에 상기 RF 파워에 의해 발생한 양이온들을 웨이퍼측으로 가속시키기 위한 저주파 발생기가 접속된 이원화된 플라즈마 소스를 사용하는 플라즈마 증착장비의 프로세스 챔버에 있어서, 상기 복수의 웨이퍼들을 안착시키는 대구경의 히터 블록은,복수의 웨이퍼들이 안착되며 그 내부에 복수의 히터들이 내장되는 전도성 히터 몸체; 및상기 히터 몸체를 지지하기 위해 히터 본체의

웨이퍼들에 각각 대응하여 대향 설치된 샤워 헤드에 가스 입자들을 이온화하기 위한 주 전원으로서 RF 파워를 사용하는 고주파 발생기가 접속되며, 상기 웨이퍼들이 안착되는 히터 블록에 상기 RF 파워에 의해 발생한 양이온들을 웨이퍼측으로 가속시키기 위한 저주파 발생기가 접속된 이원화된 플라즈마 소스를 사용하는 플라즈마 증착장비의 프로세스 챔버에 있어서, 상기 복수의 웨이퍼들을 안착시키는 대구경의 히터 블록은,복수의 웨이퍼들이 안착되며 그 내부에 복수의 히터들이 내장되는 전도성 히터 몸체; 및상기 히터 몸체를 지지하기 위해 히터 본체의 중앙부에 형성되며, 상기 히터 몸체와 접하는 상면부위에 전도체로 이루어진 접속수단을 포함하는 비전도성 지지대를 구비하며, 상기 대구경의 히터 블록에 균일한 플라즈마 공급을 위하여, 상기 접속수단의 양단에 상기 저주파 발생기 및 이 저주파 발생기의 잡음을 억제하기 위한 션트(shunt)부가 각각 연결되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 증착장비의 프로세스 챔버.제1항에 있어서, 상기 히터 블록의 몸체의 상·하면에 각각 대각선 방향으로 형성된 한 쌍의 저주파 연결부 및 한 쌍의 션트 연결부를 더 포함하며, 상기 각 쌍의 연결부에 동축케이블을 통하여 션트부와 저주파 발생부가 각각 연결되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 증착장비의 프로세스 챔버. 제2항에 있어서, 상기 각 쌍의 연결부에 접속되는 동축케이블들의 길이가 서로 동일하게 구성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 증착장비의 프로세스 챔버.