초록 ▼

본 발명은 반도체 소자의 평탄화막 에치백 공정 방법에 관한 것으로, 금속배선 공정의 평탄화막 에치백 공정을 통한 평탄화 공정시 Pix를 평탄화막 에치백 멈춤막으로 사용함으로써 제1 층간절연막의 두께 증가에 따른 보이드 및 평탄화막 에치백에 따른 금속 배선의 드러남을 방지하여 금속배선의 단락을 방지하고 수율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.본 발명에 의한 반도체 소자의 평탄화막 에치백 공정 방법은, 실리콘 기판 위에 금속 배선을 형성하는 단계와, 상기 결과물 위에 제1 층간 절연막을 형성시키는 단계와, 상기 결과물 상에 폴리이미드

본 발명은 반도체 소자의 평탄화막 에치백 공정 방법에 관한 것으로, 금속배선 공정의 평탄화막 에치백 공정을 통한 평탄화 공정시 Pix를 평탄화막 에치백 멈춤막으로 사용함으로써 제1 층간절연막의 두께 증가에 따른 보이드 및 평탄화막 에치백에 따른 금속 배선의 드러남을 방지하여 금속배선의 단락을 방지하고 수율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.본 발명에 의한 반도체 소자의 평탄화막 에치백 공정 방법은, 실리콘 기판 위에 금속 배선을 형성하는 단계와, 상기 결과물 위에 제1 층간 절연막을 형성시키는 단계와, 상기 결과물 상에 폴리이미드 계열의 고분자 물질을 도포한 후 경화시키는 단계와, 상기 결과물 상에 평탄화막을 도포한 후 경화시키는 단계와, 상기 결과물 상에 식각 가스로 상기 평탄화막을 식각시키는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.

대표청구항

실리콘 기판 위에 금속 배선을 형성하는 단계와,상기 결과물 위에 제1 층간 절연막을 형성시키는 단계와,상기 결과물 상에 폴리이미드 계열의 고분자 물질을 도포한 후 경화시키는 단계와,상기 결과물 상에 평탄화막을 도포한 후 경화시키는 단계와,상기 결과물 상에 식각 가스로 상기 평탄화막을 식각시키는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 평탄화막 에치백 공정 방법.

실리콘 기판 위에 금속 배선을 형성하는 단계와,상기 결과물 위에 제1 층간 절연막을 형성시키는 단계와,상기 결과물 상에 폴리이미드 계열의 고분자 물질을 도포한 후 경화시키는 단계와,상기 결과물 상에 평탄화막을 도포한 후 경화시키는 단계와,상기 결과물 상에 식각 가스로 상기 평탄화막을 식각시키는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 평탄화막 에치백 공정 방법.