[특허]플라즈마 식각 장비를 이용한 식각 방법

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[한국특허] 플라즈마 식각 장비를 이용한 식각 방법
Method of etching using a plasma etch equipment 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)	H01L-021/3065
출원번호	10-2001-0038472 (2001-06-29)
공개번호	10-2003-0002772 (2003-01-09)
등록번호	10-0420204-0000 (2004-02-13)
DOI	http://doi.org/10.8080/1020010038472
발명자 / 주소	조용태 / 경기도이천시증포동선경차아파트동*호 최봉호 / 서울특별시광진구광장동현대차*동호 김동현 / 경기도이천시부발읍응암리이화아파트동***호
출원인 / 주소	주식회사 하이닉스반도체 / 경기 이천시 부발읍 아미리 산**-
대리인 / 주소	신영무 (SHIN, Young Moo) 서울 중구 순화동 -** 에이스타워 *층
심사청구여부	있음 (2001-06-29)
심사진행상태	등록결정(일반)
법적상태	소멸

초록

본 발명은 반도체 소자의 제조 공정에 사용되는 플라즈마 식각 장비에 관한 것으로, 진공 상태가 유지될 수 있는 케이지 내부에 웨이퍼 지지대를 위치시키고, 웨이퍼 지지대가 경사지게 움직일 수 있도록 하여 플라즈마 이온의 직진성이 유지되는 상태에서 경사 식각이 이루어지도록 하므로써 보상 식각에 의해 오정렬로 인한 불량이 사전에 방지되도록 한다.

대표청구항

가스 주입구 및 가스 배기구가 각각 형성된 챔버와,상기 챔버 내의 저면부에 설치된 캐소드 전극과,상기 캐소드 전극의 상부에 위치되며 회전축에 의해 회전 및 기울어짐이 가능하도록 구성된 웨이퍼 지지대와,상기 웨이퍼 지지대가 내부에 위치되도록 상기 캐소드 전극과 밀착되어 설치된 케이지와,상기 챔버의 상부에 설치된 에노드 전극과,상기 에노드 전극에 고주파 전력을 공급하기 위한 고주파 전력 공급기를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각 장비.

발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (2)

[일본] METHOD AND DEVICE FOR ETCHING SEMICONDUCTOR WAFER | NONAMI HIDEAKI
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[한국] 플라즈마 공정 장치. | 강재구
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특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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