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식각 공정 장치 및 식각 공정 방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H01L-021/3065
출원번호 10-2013-0023761 (2013-03-06)
공개번호 10-2014-0109610 (2014-09-16)
등록번호 10-2064914-0000 (2020-01-06)
DOI http://doi.org/10.8080/1020130023761
발명자 / 주소
  • 전경엽 / 경기도 용인시 기흥구 용구대로****번길 ** (마북동, 삼성래미안*차아파트)***-****
  • 이정윤 / 경기도 용인시 기흥구 사은로***번길 ** (보라동, 민속마을현대모닝사이드*차아파트) ***-***
  • 김경선 / 경기도 수원시 영통구 효원로 *** (매탄동, 신매탄위브하늘채아파트) ***동 ****호
  • 김태곤 / 서울특별시 마포구 마포대로 ** (도화동, 마포 한화 오벨리스크) ****호
출원인 / 주소
  • 삼성전자주식회사 / 경기도 수원시 영통구 삼성로 *** (매탄동)
대리인 / 주소
  • 박영우
심사청구여부 있음 (2018-01-30)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 등록

초록

식각 장치 및 식각 방법에서, 식각 방법은 식각 챔버 내에, 전극 플레이트 및 절연 코팅막이 적층된 적층 구조물 상에 기판을 로딩한다. 상기 식각 챔버 내에 플라즈마를 생성시킨다. 상기 기판의 제1 부위들에 전극 로드들을 직접 접촉하여 제1 직류 펄스를 인가한다. 상기 전극 플레이트와 대향하는 기판의 제2 부위의 전위가 조절되도록, 상기 전극 플레이트에 제2 직류 펄스를 인가한다. 또한, 상기 제1 및 제2 직류 펄스에 의해, 상기 기판 방향으로 반응성 이온을 가속시켜 상기 기판에 형성된 막 또는 기판을 식각한다. 상기 식각 방법에

대표청구항

식각 챔버; 상기 식각 챔버 내에 구비되는 플라즈마 생성부; 상기 식각 챔버 하부에 구비되고, 전극 플레이트 및 상기 전극 플레이트의 상부면을 덮는 절연성 코팅막이 적층되고, 상기 절연성 코팅막의 상부면에 기판이 로딩되는 적층 구조물; 상기 적층 구조물의 상부면으로부터 하부면까지 관통하고, 상기 적층 구조물과 이격되도록 구비되고, 상기 기판에 직접 접촉되는 전극 로드들; 상기 전극 로드들에 인가되는 직류 펄스를 생성하는 제1 직류 펄스 발생기; 상기 전극 플레이트에 인가되는 직류 펄스를 생성하는 제2 직류 펄스 발생기; 상기 제1

이 특허에 인용된 특허 (3)

  1. [한국] 플라즈마 공정 응용에서 전기적 콘택을 제공하는 방법 및 장치 | 구본웅, 라즈, 데븐, 왈더, 스티븐 알., 리비트, 크리스토퍼 제이., 토코, 저스틴, 현성환, 밀러, 티모시 제이., 슈어, 제이 티., 굽타, 아툴, 싱, 비크람
  2. [일본] APPARATUS AND METHOD FOR PLASMA PROCESSING | KAJI TETSUNORI, WATANABE KATSUYA, MITANI KATSUHIKO, OTSUBO TORU, TAJI SHINICHI, TANAKA JUNICHI
  3. [일본] APPARATUS FOR DEPOSITING SILICON-BASED THIN FILM AND ITS METHOD | IMAEDA MINORU, IMANISHI YUICHIRO, SAITO TAKAO
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