[특허]반도체 소자의 트랜지스터 형성 방법

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[한국특허] 반도체 소자의 트랜지스터 형성 방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC8판)	H01L-029/78
출원번호	10-2001-0079845 (2001-12-15)
공개번호	10-2003-0049602 (2003-06-25)
DOI	http://doi.org/10.8080/1020010079845
발명자 / 주소	김규현 / 서울특별시강동구성내동삼성아파트동*호 최봉호 / 서울특별시서초구반포본동반포아파트동***호
출원인 / 주소	주식회사 하이닉스반도체 / 경기 이천시 부발읍 아미리 산**-
대리인 / 주소	특허법인아주 (AJU INTERANTIONAL LAW ＆ PATENT GROUP) 서울 강남구 역삼동** 허바허바빌딩*층(특허법인 아주)
심사진행상태	취하(심사미청구)
법적상태	취하

초록

본 발명은 게이트 전극 형성 후 PSG(Phospho-silicate glass) 필름을 증착하여 어닐링 함으로써 PSG 필름내에 존재하는 P(인) 성분의 불순물을 확산시켜 LDD를 위한 이온 주입 공정을 생략하고 얕은 접합을 형성할 수 있어 이온 주입에 따른 데미지가 없기 때문에 누설 전류를 감소시킬 수 있으며 자기 확산을 이용하기 때문에 숏 채널 소자에서도 활용이 가능한 이점이 있다.

대표청구항 ▼

반도체 기판 상부에 게이트 산화막 및 게이트 전극을 차례로 증착한 후 감광막 패턴을 형성하는 단계와,상기 감광막 패턴을 이용하여 게이트 산화막 및 게이트 전극을 식각하여 패터닝 하고 HF+H2O 용액을 이용하여 잔류된 게이트 산화막을 제거하는 단계와,상기 잔류된 게이트 산화막이 제거된 결과물 상에 P이 도핑된 PSG 필름을 증착하는 단계와,상기 PSG 필름이 형성된 결과물 상에 어닐링 공정을 진행하여 불순물인 P을 실리콘 기판에 확산시킨 후 HF+H2O 용액을 이용한 세정 공정을 진행하여 PSG 필름을 제거하는 단계를 포함하는 것을

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특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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구성항목	기본정보 상세정보 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표IPC 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 공고번호, 공고일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표출원인, 출원인국적, 출원인주소, 발명자, 발명자E, 발명자코드, 발명자주소, 발명자 우편번호, 발명자국적, 대표IPC, IPC코드, 요약, 미국특허분류, 대리인주소, 대리인코드, 대리인(한글), 대리인(영문), 국제공개일자, 국제공개번호, 국제출원일자, 국제출원번호, 우선권, 우선권주장일, 우선권국가, 우선권출원번호, 원출원일자, 원출원번호, 지정국, Citing Patents, Cited Patents
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