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| 국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
|---|---|
| 국제특허분류(IPC9판) |
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| 출원번호 | 10-2001-0073336 (2001-11-23) |
| 공개번호 | 10-2003-0042613 (2003-06-02) |
| 등록번호 | 10-0445814-0000 (2004-08-17) |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1020010073336 |
| 발명자 / 주소 |
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| 출원인 / 주소 |
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| 대리인 / 주소 |
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| 심사청구여부 | 있음 (2001-11-23) |
| 심사진행상태 | 등록결정(일반) |
| 법적상태 | 소멸 |
본 발명에 따른 CVD 장치는, 화학기상증착 공정이 진행되는 반응챔버; 상기 반응챔버 내부에 설치되며 웨이퍼가 안착되어지는 웨이퍼 지지대; 상기 웨이퍼 지지대 주위로부터 상기 웨이퍼 지지대의 상부공간 중심부로 공정기체를 분사하도록 상기 반응챔버 측면부에 설치되는 기체 포커스 링; 상기 반응챔버 내부로 퍼지기체를 공급하기 위하여 상기 반응챔버 저면에 설치되는 퍼지기체 공급구; 및 상기 기체 포커스 링을 통하여 분사되는 공정기체 및 상기 퍼지기체 공급구를 통해서 공급되는 퍼지기체를 배출시키기 위하여 상기 기체 포커스 링보다는 하부에 위
화학기상증착 공정이 진행되는 반응챔버; 상기 반응챔버 내부에 설치되며 웨이퍼가 안착되어지는 웨이퍼 지지대;상기 웨이퍼 지지대 주위로부터 상기 웨이퍼 지지대의 상부공간 중심부로 공정기체를 분사하도록 상기 반응챔버 측면부에 설치되는 기체 포커스 링; 상기 반응챔버 내부로 퍼지기체를 공급하기 위하여 상기 반응챔버 저면에 설치되는 퍼지기체 공급구; 및 상기 기체 포커스 링을 통하여 분사되는 공정기체 및 상기 퍼지기체 공급구를 통해서 공급되는 퍼지기체를 배출시키기 위하여 상기 기체 포커스 링보다는 하부에 위치하도록 상기 반응챔버의 측벽에 설
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