초록

본 발명은 유기실리케이트 박막을 기판상에 증착시키고, 박막을 최종적으로 생성시키는 경우에, 유기실리케이트 박막의 두께를 균일하게 제어하는 방법에 관한 것이다. CVD, PECVD, 또는 신속한 열처리에 의해서 수행될 수 있는 막의 증착 동안에, 기판 온도는 제어되어 공급 재료로서 TEOS로부터 증착되는 바와 같은 유기실리케이트 막 증착율의 한계 민감 온도에 특히 적합한 온도 특성을 나타낸다.

대표청구항 ▼

기판을 가열하기 위한 장치로서,기판을 지지하도록 구성된 서셉터(SUSCEPTOR);서셉터의 제 1 부분, 및 서셉터의 제 1 부분의 방사상 바깥쪽에 있는 서셉터의 제 2 부분을 가열하도록 각각 배치된 제 1 및 제 2 가열 부재;제 1 온도 판독값을 제공하는 제 1 열전쌍;제 2 온도 판독값을 제공하는 제 2 열전쌍; 및제 1 가열 부재에 제 1 전류를 공급하고, 제 2 가열 부재에 제 2 전류를 공급하도록 접속된, 상기 온도 판독값들에 반응하여 전류를 제어하는 가열기 제어기를 포함하고, 제 2 열전쌍은 서셉터의 제 1 부분과 제

기판을 가열하기 위한 장치로서,기판을 지지하도록 구성된 서셉터(SUSCEPTOR);서셉터의 제 1 부분, 및 서셉터의 제 1 부분의 방사상 바깥쪽에 있는 서셉터의 제 2 부분을 가열하도록 각각 배치된 제 1 및 제 2 가열 부재;제 1 온도 판독값을 제공하는 제 1 열전쌍;제 2 온도 판독값을 제공하는 제 2 열전쌍; 및제 1 가열 부재에 제 1 전류를 공급하고, 제 2 가열 부재에 제 2 전류를 공급하도록 접속된, 상기 온도 판독값들에 반응하여 전류를 제어하는 가열기 제어기를 포함하고, 제 2 열전쌍은 서셉터의 제 1 부분과 제 2 부분 사이에 있는 서셉터의 제 3 부분에 커플링되고,제 1 열전쌍은 서셉터의 제 3 부분의 방사상 안쪽에 있는 서셉터의 제 4 부분과 커플링되는 장치.제 1 항에 있어서, 서셉터의 제 4 부분이 서셉터의 제 1 부분의 방사상 안쪽에 존재하는 것을 특징으로 하는 장치.제 1 항에 있어서, 서셉터의 제 2 부분이 서셉터의 주변부인 것을 특징으로 하는 장치.제 1 항에 있어서, 가열기 제어기가, 제 2 열전쌍의 온도 판독값이 제 1 열전쌍의 온도 판독값에 비해 높게 되도록 제 1 및 제 2 전류를 제어하는 것을 특징으로 하는 장치.제 1 항에 있어서, 가열기 제어기가, 제 2 열전쌍의 온도 판독값이 제 1 열전쌍의 온도 판독값에 비해 10 내지 20 ℃ 높게 되도록 제 1 및 제 2 전류를 제어하는 것을 특징으로 하는 장치.제 1 항에 있어서, 서셉터를 둘러싸는 공정 챔버 및전구 물질을 공정 챔버에 분배하여 기판 상에 막을 형성시키기 위한 수단을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.제 6 항에 있어서, 가열기 제어기가, 제 2 열전쌍의 온도 판독값이 기판 상에 증착된 상기 막이 6.7% 이하의 두께 균일성을 갖도록 하기에 충분히 큰 정도로 제 1 열전쌍의 온도 판독값을 초과하도록 제 1 및 제 2 전류를 제어하는 것을 특징으로 하는 장치.제 6 항에 있어서, 가열기 제어기가, 제 2 열전쌍의 온도 판독값이, 제 1 및 제 2 열전쌍의 온도 판독값이 동일한 경우에 형성되는 막 두께의 균일성에 비해 상기 막 두께 균일성을 개선시키는 정도로 제 1 열전쌍의 온도 판독값을 초과하도록 제 1 및 제 2 전류를 제어하는 것을 특징으로 하는 장치.제 1 항에 있어서, 서셉터가 550MM X 650MM 이상의 치수를 갖는 기판을 지지하기에 충분히 큰 것을 특징으로 하는 장치.기판을 가열하기 위해 서셉터의 온도를 제어하는 방법으로서, 기판을 지지하도록 구성된 서셉터를 제공하는 단계;제 1 가열 부재를 서셉터의 제 1 부분에 커플링시키는 단계;제 2 가열 부재를 서셉터의 제 1 부분의 방사상 바깥쪽에 있는 서셉터의 제 2 부분에 커플링시키는 단계;각각 온도 판독값을 제공하는, 제 1 및 제 2 열전쌍을 제공하는 단계;제 2 열전쌍을 서셉터의 제 1 부분과 제 2 부분 사이에 있는 서셉터의 제 3 부분에 커플링시키는 단계;제 1 열전쌍을 서셉터의 제 3 부분의 방사상 안쪽에 있는 서셉터의 제 4 부분에 커플링시키는 단계 및제 1 및 제 2 열전쌍의 온도 판독값에 반응하여 제 1 및 제 2 가열 부재를 제어하는 단계를 포함하는 방법.제 10 항에 있어서, 서셉터의 제 4 부분이 서셉터의 제 1 부분의 방사상 안쪽에 존재하는 것을 특징으로 하는 방법.제 10 항에 있어서, 서셉터의 제 2 부분이 서셉터의 주변부인 것을 특징으로 하는 방법.제 10 항에 있어서, 제어 단계가, 2 열전쌍의 온도 판독값이 제 1 열전쌍의 온도 판독값에 비해 높게 되도록 제 1 및 제 2 가열 부재를 제어하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.제 10 항에 있어서, 제어 단계가, 제 2 열전쌍의 온도 판독값이 제 1 열전쌍의 온도 판독값에 비해 10 내지 20 ℃ 높게 되도록 제 1 및 제 2 가열 부재를 제어하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.제 10 항에 있어서, 제어 단계와 동시에,서셉터 상에 기판을 지지하는 단계 및기판 상에 막을 증착시키기 위하여 전구물질을 공정 챔버에 공급하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.제 15 항에 있어서, 제어 단계가, 제 2 열전쌍의 온도 판독값이 기판 상에 형성되는 상기 막이 6.7% 이하의 두께 균일성을 갖도록 하기에 충분히 큰 정도로 제 1 열전쌍의 온도 판독값을 초과하도록 제 1 및 제 2 가열 부재를 제어하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.제 15 항에 있어서, 제어 단계가, 제 2 열전쌍의 온도 판독값이, 제 1 및 제 2 열전쌍의 온도 판독값이 동일한 경우에 형성되는 막 두께에의 균일성에 비해 상기 막 두께 균일성을 개선시키는 정도로 제 1 열전쌍의 온도 판독값을 초과하도록 제 1 및 제 2 가열 부재를 제어하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.제 10 항에 있어서, 서셉터가 550MM X 650MM 이상의 치수를 갖는 기판을 챔버 내에서 지지하기에 충분히 큰 것을 특징으로 하는 방법.