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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2001-0079845 (2001-12-15) |
공개번호 | 10-2003-0049602 (2003-06-25) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020010079845 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사진행상태 | 취하(심사미청구) |
법적상태 | 취하 |
본 발명은 게이트 전극 형성 후 PSG(Phospho-silicate glass) 필름을 증착하여 어닐링 함으로써 PSG 필름내에 존재하는 P(인) 성분의 불순물을 확산시켜 LDD를 위한 이온 주입 공정을 생략하고 얕은 접합을 형성할 수 있어 이온 주입에 따른 데미지가 없기 때문에 누설 전류를 감소시킬 수 있으며 자기 확산을 이용하기 때문에 숏 채널 소자에서도 활용이 가능한 이점이 있다.
반도체 기판 상부에 게이트 산화막 및 게이트 전극을 차례로 증착한 후 감광막 패턴을 형성하는 단계와,상기 감광막 패턴을 이용하여 게이트 산화막 및 게이트 전극을 식각하여 패터닝 하고 HF+H2O 용액을 이용하여 잔류된 게이트 산화막을 제거하는 단계와,상기 잔류된 게이트 산화막이 제거된 결과물 상에 P이 도핑된 PSG 필름을 증착하는 단계와,상기 PSG 필름이 형성된 결과물 상에 어닐링 공정을 진행하여 불순물인 P을 실리콘 기판에 확산시킨 후 HF+H2O 용액을 이용한 세정 공정을 진행하여 PSG 필름을 제거하는 단계를 포함하는 것을
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