초록

반도체 패키지를 개시한다. 본 발명 반도체 패키지는 반도체칩, 상기 반도체칩을 지지하며 와이어 본딩되는 다이패드, 상기 반도체칩과 와이어본딩되며 외부와 전기적으로 연결되는 리드, 상기 반도체칩, 다이패드, 및 리드를 일체로 밀봉하는 몰딩을 구비하며,상기 다이패드의 가장자리는 하프에칭(half etching)되고, 상기 하프에칭된 면에 상기 몰딩과의 접착 면적을 크게 하고 접착력을 증가시키기 위한 부가 수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.상기 부가 수단은 다이패드 가장자리의 하프에칭된 저면에 형성된 관통공으로 된 것일 수 있다.

대표청구항

반도체칩, 상기 반도체칩을 지지하며 와이어 본딩되는 다이패드, 상기 반도체칩과 와이어본딩되며 외부와 전기적으로 연결되는 리드, 상기 반도체칩, 다이패드, 및 리드를 일체로 밀봉하는 몰딩을 구비하며,상기 다이패드의 가장자리는 하프에칭(half etching)되고, 상기 하프에칭된 면에 상기 몰딩과의 접착 면적을 크게 하고 접착력을 증가시키기 위한 부가 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.

반도체칩, 상기 반도체칩을 지지하며 와이어 본딩되는 다이패드, 상기 반도체칩과 와이어본딩되며 외부와 전기적으로 연결되는 리드, 상기 반도체칩, 다이패드, 및 리드를 일체로 밀봉하는 몰딩을 구비하며,상기 다이패드의 가장자리는 하프에칭(half etching)되고, 상기 하프에칭된 면에 상기 몰딩과의 접착 면적을 크게 하고 접착력을 증가시키기 위한 부가 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.