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연합인증

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레지스트의 이미지 붕괴를 방지하기 위한 현상액/세척배합물 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC9판)
  • H01L-021/027
출원번호 10-2002-0006687 (2002-02-06)
공개번호 10-2002-0069114 (2002-08-29)
등록번호 10-0527226-0000 (2005-11-01)
DOI http://doi.org/10.8080/1020020006687
발명자 / 주소
  • 메식스코트에이 / 미국뉴욕주*****플레전트밸리메다우로드**
  • 모로우웨인엠 / 미국뉴욕주*****워핑거스폴스리디아드라이브**
  • 로빈슨크리스토퍼에프 / 미국뉴욕주*****하이드파크쉐이커레인**
출원인 / 주소
  • 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 / 미국 ***** 뉴욕주 아몬크 뉴오차드 로드
대리인 / 주소
  • 장성구; 김창세 (JANG, Seong Ku)
  • 서울시 서초구 양재동 ***-* 트러스트타워**층(제일광장특허법률사무소); 서울 서초구 양재동 ***-* 트러스트타워**층(제일광장특허법률사무소)
심사청구여부 있음 (2002-12-24)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 소멸

초록 ▼

본 발명은 반도체 웨이퍼와 같은 전자부품 기판상에 포토레지스트 패턴을 현상하기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다. 상기 방법 및 장치에서는 특정 현상액(developer) 조성물 및 특정 세척 조성물을 순서대로 사용하여 노광된 포토레지스트 패턴을 현상한 후 현상된 패턴을 세척한다. 현상액 조성물 및 세척 조성물은 둘다 음이온성 계면활성제를 함유하며, 순서대로 사용되는 경우, 종횡비(aspect ratio)가 약 3보다 크고 선의 나비가 150㎚ 미만인 것과 같은 작은 특징부가 형성될 때에도 패턴 붕괴가 방지되는 레지스트 패턴을

대표청구항 ▼

전자부품 기판상에 포토레지스트 필름을 코팅하는 단계; 상기 포토레지스트 필름을 예비결정된 패턴에 노광하는 단계; 상기 노광된 포토레지스트 필름에, 패턴 붕괴를 방지하기에 충분한 양의 음이온성 계면활성제를 함유하는 현상액 조성물을 공급하여 포토레지스트 패턴을 현상하는 단계; 상기 포토레지스트 필름을 현상하여 예비결정된 포토레지스트 패턴을 형성하고 기판을 습윤 상태로 유지시키는 단계; 상기 습식 현상된 기판상에, 탈이온수 및 패턴 붕괴를 방지하기에 충분한 양의 음이온성 계면활성제를 포함하는 세척 수용액을 공급하는 단계; 상기 현상된 기

이 특허에 인용된 특허 (1)

  1. [일본] METHOD FOR PREVENTING TILTING OF PHOTORESIST PATTERN IN DEVELOPING STEP | INOUE MASAMI, SUMIYA HIROAKI, WATANABE HIROSHI, ASANO KAZUO
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이 특허를 인용한 특허 (3)

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  3. [한국] 리소그래피용 세정제 및 그것을 이용한 레지스트 패턴형성방법 | 사와다 요시히로, 와키야 가즈마사, 고시야마 준, 타지마 히데카즈, 미야모토 아츠시, 구마가이 토모야, 사와노 아츠시
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