초록 ▼

본 발명은 반도체 웨이퍼 등 피가공물이 수용되는 챔버 내부의 플라즈마 밀도를 반경방향은 물론 회전방향에 대하여도 대칭적으로 균일하게 발생시킬 수 있도록 함으로써 피가공물을 효과적으로 가공할 수 있도록 한 저주파형 유도결합 플라즈마 발생장치에 관한 것인바, 아크의 발생이 없고 누설전류가 없어 하드웨어를 안정적으로 유지할 수 있고, 장비를 저렴한 비용으로 제작할 수 있으며, 가스분해가 유리한 높은 전자온도와 낮은 압력에서 효율적이 되도록 100㎑~4㎒대의 저주파 RF전원을 사용하여 플라즈마를 발생시킬 수 있도록 안테나의 구조를 개선하여

본 발명은 반도체 웨이퍼 등 피가공물이 수용되는 챔버 내부의 플라즈마 밀도를 반경방향은 물론 회전방향에 대하여도 대칭적으로 균일하게 발생시킬 수 있도록 함으로써 피가공물을 효과적으로 가공할 수 있도록 한 저주파형 유도결합 플라즈마 발생장치에 관한 것인바, 아크의 발생이 없고 누설전류가 없어 하드웨어를 안정적으로 유지할 수 있고, 장비를 저렴한 비용으로 제작할 수 있으며, 가스분해가 유리한 높은 전자온도와 낮은 압력에서 효율적이 되도록 100㎑~4㎒대의 저주파 RF전원을 사용하여 플라즈마를 발생시킬 수 있도록 안테나의 구조를 개선하여 안테나에 걸리는 전압의 균일성 확보와 더불어 유도된 플라즈마의 밀도가 챔버의 전 구역에 걸쳐 균일하도록 챔버 상부의 평면형 또는 돔형 유전체 위에 설치되어 일단은 RF전원이 인가되고 타단은 접지되는 안테나에 있어서, 상기 안테나는 연속된 이층의 조밀한 스파이럴형을 이루되 RF전원이 공급되는 파워드 엔드는 상층 안테나의 중심부에 형성되고 전기적으로 접지되는 그라운드 엔드는 하층 안테나의 중심부에 형성되어 안테나의 전구역에 걸쳐 균일한 전압이 인가되어 챔버 내에서 플라즈마의 밀도분포가 반경방향에 대한 균일성 및 회전방향에 대한 대칭성을 갖도록 한다.

대표청구항 ▼

피가공물이 내장되는 챔버 상부의 유전체 위에 설치되어 반응가스의 공급하에서 일단은 RF전원이 인가되고 타단은 접지되는 안테나를 갖는 유도결합형 플라즈마 발생장치에 있어서,상기 안테나(10)는 연속된 이층의 스파이럴형을 이루되 저주파 RF전원이 인가되는 파워드 엔드(P)는 상층 안테나(12)의 중심부에 형성되고 전기적으로 접지되는 그라운드 엔드(G)는 하층 안테나(14)의 중심부에 형성되며, 하층 안테나(14)는 상기 상층 안테나(12)와 같은 회전방향으로 감겨 있고, 상층 안테나(12)의 바깥부분과 하층 안테나(14)의 바깥부분은

피가공물이 내장되는 챔버 상부의 유전체 위에 설치되어 반응가스의 공급하에서 일단은 RF전원이 인가되고 타단은 접지되는 안테나를 갖는 유도결합형 플라즈마 발생장치에 있어서,상기 안테나(10)는 연속된 이층의 스파이럴형을 이루되 저주파 RF전원이 인가되는 파워드 엔드(P)는 상층 안테나(12)의 중심부에 형성되고 전기적으로 접지되는 그라운드 엔드(G)는 하층 안테나(14)의 중심부에 형성되며, 하층 안테나(14)는 상기 상층 안테나(12)와 같은 회전방향으로 감겨 있고, 상층 안테나(12)의 바깥부분과 하층 안테나(14)의 바깥부분은 직렬로 연결된 것을 특징으로 하는 저주파형 유도결합 플라즈마 발생장치.