초록 ▼

본 발명은 박막트랜지스터 액정표시장치 또는 반도체 제조 공정에 있어서, 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 포토레지스트 현상액 조성물에 관한 것으로서, 무기알칼리 1.0 내지 10.0 중량%, 유기용제 0.1 내지 3.0 중량%, 계면활성제 1.0 내지 20.0 중량% 및 물 67 내지 97.9 중량%를 포함하는 포토레지스트용 현상액 조성물을 제공한다. 여기서 상기 계면활성제는 음이온계 계면활성제 및 비이온계 계면활성제로 이루어져 있고, 그 혼합비는 중량비로 1 : 10 내지 1 : 100인 것이 바람직하다. 상기 레지스트 현상액

본 발명은 박막트랜지스터 액정표시장치 또는 반도체 제조 공정에 있어서, 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 포토레지스트 현상액 조성물에 관한 것으로서, 무기알칼리 1.0 내지 10.0 중량%, 유기용제 0.1 내지 3.0 중량%, 계면활성제 1.0 내지 20.0 중량% 및 물 67 내지 97.9 중량%를 포함하는 포토레지스트용 현상액 조성물을 제공한다. 여기서 상기 계면활성제는 음이온계 계면활성제 및 비이온계 계면활성제로 이루어져 있고, 그 혼합비는 중량비로 1 : 10 내지 1 : 100인 것이 바람직하다. 상기 레지스트 현상액 조성물은 사용 환경에 따라 함량이 0.5 내지 5.0 중량%가 되도록 물로 희석하여 사용할 수 있다. 본 발명에 따른 현상액 조성물은 빛을 받은 노광부의 레지스트 표면에 대한 깎임 현상이 없을 뿐만 아니라, 빛을 받지 않은 비노광부에 대한 현상 성능이 우수하여, 현상되지 않고 기판 상에 남게 되는 잔여 물질이 거의 없는 장점이 있다.

대표청구항

전체 현상액 조성물에 대하여, 무기알칼리 1 내지 10 중량%, 유기 용제 0.1 내지 3.0 중량%, 계면활성제 1.0 내지 20.0 중량% 및 물 67 내지 97.9 중량%를 포함하는 포토레지스트 현상액 조성물.

전체 현상액 조성물에 대하여, 무기알칼리 1 내지 10 중량%, 유기 용제 0.1 내지 3.0 중량%, 계면활성제 1.0 내지 20.0 중량% 및 물 67 내지 97.9 중량%를 포함하는 포토레지스트 현상액 조성물.