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연합인증

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반도체 소자의 금속 배선 구조 및 그 제조 방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC9판)
  • H01L-021/3205
출원번호 10-2003-0047380 (2003-07-11)
공개번호 10-2005-0007780 (2005-01-21)
등록번호 10-1025918-0000 (2011-03-23)
DOI http://doi.org/10.8080/1020030047380
발명자 / 주소
  • 백기주 / 경상남도창원시반림동현대아파트***동***호
출원인 / 주소
  • 매그나칩 반도체 유한회사 / 충북 청주시 흥덕구 향정동 *
대리인 / 주소
  • 특허법인 아주양헌
심사청구여부 있음 (2008-07-07)
심사진행상태 등록결정(심사전치후)
법적상태 소멸

초록 ▼

본 발명은 반도체 소자의 금속 배선 구조 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 특히 본 발명의 제조 방법은 반도체 기판내에 소오스/드레인 접합과 벌크 접합을 형성하는 단계와, 제 1층간 절연막을 증착하고 제 1층간 절연막에 이들 접합에 수직으로 연결된 제 1콘택 전극을 형성한 후에 제 1층간 절연막 상부에 소오스 및 벌크 접합의 제 1콘택 전극을 서로 연결하는 디스챠지 도전막을 형성하는 단계와, 제 2층간 절연막을 증착하고 제 2층간 절연막에 제 1콘택 전극 또는 디스챠지 도전막과 수직으로 연결된 제 2콘택 전극을 형성한 후에, 제

대표청구항 ▼

반도체 기판내에 서로 이격되게 불순물이 주입된 제 1접합 및 제 2접합;상기 반도체 기판내에 상기 제 1접합과 소정 거리 이격되며 불순물이 주입된 제 3접합;상기 반도체 기판 상부 전면에 형성된 제 1층간 절연막;상기 제 1층간 절연막의 콘택홀을 통해 제 1 내지 제 3접합에 수직으로 연결된 제 1콘택 전극;상기 제 1층간 절연막 상부에 제 1 및 제 3접합의 제 1콘택 전극을 서로 연결하여 상기 제 1 접합 및 제 3접합의 챠지를 디스챠지시키는 디스챠지 도전막;상기 제 1층간 절연막과 디스챠지 도전막 상부 전면에 형성된 제 2층간

이 특허에 인용된 특허 (1)

  1. [한국] 반도체 장치 및 그 제조방법 | 호시노유타카, 이케다슈지, 요시다이사오, 카모하라시로, 카와카미메구미, 미야케토모유키, 모리카와마사토시
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