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| 국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
|---|---|
| 국제특허분류(IPC9판) |
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| 출원번호 | 10-2008-0107060 (2008-10-30) |
| 공개번호 | 10-2010-0048061 (2010-05-11) |
| 등록번호 | 10-0990090-0000 (2010-10-20) |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1020080107060 |
| 발명자 / 주소 | |
| 출원인 / 주소 |
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| 대리인 / 주소 |
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| 심사청구여부 | 있음 (2008-10-30) |
| 심사진행상태 | 등록결정(일반) |
| 법적상태 | 소멸 |
고전력 반도체 소자를 개시한다. 개시된 고전력 반도체 소자는 제 1 도전형의 반도체 기판, 상기 반도체 기판 상부에 형성되는 게이트 전극, 상기 게이트 전극 일측에 형성되는 제 2 도전형의 소오스 영역, 상기 게이트 전극의 타측에 형성되는 제 2 도전형의 드레인 영역, 상기 반도체 기판과 상기 게이트 전극 사이에 개재되며, 상기 소오스 영역과 인접한 제 1 게이트 절연막, 상기 드레인 영역과 인접한 제 2 게이트 절연막, 및 상기 제 1 및 제 2 게이트 절연막 사이에 위치하는 제 3 게이트 절연막을 포함하는 게이트 절연막, 및 상
제 1 도전형의 반도체 기판;상기 반도체 기판 상부에 형성되는 게이트 전극;상기 게이트 전극 일측에 형성되는 제 2 도전형의 소오스 영역;상기 게이트 전극의 타측에 형성되는 제 2 도전형의 드레인 영역;상기 반도체 기판과 상기 게이트 전극 사이에 개재되며, 상기 소오스 영역과 인접한 제 1 게이트 절연막, 상기 드레인 영역과 인접한 제 2 게이트 절연막, 및 상기 제 1 및 제 2 게이트 절연막 사이에 위치하는 제 3 게이트 절연막을 포함하는 게이트 절연막; 및 상기 제 2 게이트 절연막, 제 3 게이트 절연막 및 드레인 영역 하부
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