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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2003-0047380 (2003-07-11) |
공개번호 | 10-2005-0007780 (2005-01-21) |
등록번호 | 10-1025918-0000 (2011-03-23) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020030047380 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2008-07-07) |
심사진행상태 | 등록결정(심사전치후) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 반도체 소자의 금속 배선 구조 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 특히 본 발명의 제조 방법은 반도체 기판내에 소오스/드레인 접합과 벌크 접합을 형성하는 단계와, 제 1층간 절연막을 증착하고 제 1층간 절연막에 이들 접합에 수직으로 연결된 제 1콘택 전극을 형성한 후에 제 1층간 절연막 상부에 소오스 및 벌크 접합의 제 1콘택 전극을 서로 연결하는 디스챠지 도전막을 형성하는 단계와, 제 2층간 절연막을 증착하고 제 2층간 절연막에 제 1콘택 전극 또는 디스챠지 도전막과 수직으로 연결된 제 2콘택 전극을 형성한 후에, 제
반도체 기판내에 서로 이격되게 불순물이 주입된 제 1접합 및 제 2접합;상기 반도체 기판내에 상기 제 1접합과 소정 거리 이격되며 불순물이 주입된 제 3접합;상기 반도체 기판 상부 전면에 형성된 제 1층간 절연막;상기 제 1층간 절연막의 콘택홀을 통해 제 1 내지 제 3접합에 수직으로 연결된 제 1콘택 전극;상기 제 1층간 절연막 상부에 제 1 및 제 3접합의 제 1콘택 전극을 서로 연결하여 상기 제 1 접합 및 제 3접합의 챠지를 디스챠지시키는 디스챠지 도전막;상기 제 1층간 절연막과 디스챠지 도전막 상부 전면에 형성된 제 2층간
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