IPC분류정보
| 국가/구분 |
한국(KR)/등록특허
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| 국제특허분류(IPC9판) |
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| 출원번호 |
10-2003-7010563
(2003-08-11)
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| 공개번호 |
10-2004-0024546
(2004-03-20)
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| 등록번호 |
10-0734834-0000
(2007-06-27)
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| 국제출원번호 |
PCT/GB2002/000450
(2002-02-01)
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| 국제공개번호 |
WO200269037
(2002-09-06)
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| 번역문제출일자 |
2003-08-11
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| DOI |
http://doi.org/10.8080/1020037010563
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발명자
/ 주소 |
- 안겔로포울로스마리
/ 미국뉴욕주*****코트랜드마너이스트힐로드**
- 바비치캐써리나
/ 미국뉴욕주*****샤파쿠아버치우드클로즈***
- 브룩스카메론제임스
/ 미국뉴욕주*****엘름스포드타운그린드라이브**
- 체이제이
/ 미국뉴욕주*****오씨닝엔오씨비*웰덴로드*/***
- 구아르니에리리차드
/ 미국뉴욕주*****소머스아나로크드라이브**
- 히브스마이클스트레이트
/ 미국버몬트주*****웨스트포드올드스테이지로드****
- 라세트케네쓰크리스토퍼
/ 미국버몬트주*****페어팩스벅할로우로드****
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| 출원인 / 주소 |
- 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 / 미국 ***** 뉴욕주 아몬크 뉴오차드 로드
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| 대리인 / 주소 |
-
신정건;
김태홍
(SHIN, JUNG KUN)
-
서울 중구 충무로 *가 **-* 극동빌딩 **층(리인터내셔날특허법률사무소);
서울 중구 충무*가동 **-* 극동빌딩 **층
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| 심사청구여부 |
있음 (2003-09-03) |
| 심사진행상태 |
등록결정(취소환송후) |
| 법적상태 |
소멸 |
초록
투과광의 위상변이를 생성시키는 감쇠 내장형 위상변이 포토마스크 블랭크는 금속/규소/질소 또는 금속/규소/질소/산소로 제조된 광학적으로 반투명한 막으로 형성된다. 넓은 범위의 광 투과율(193nm에서 0.001% 내지 20%)이 상기 공정에 의해 수득된다. 침착-후 공정을 수행하여 산업상 이용하기 위한 목적하는 특성(레이저 조사 및 산 처리에 대한 광학 특성의 안정성)을 얻는다. 스퍼터 타겟을 위한 특정한 제조 공정을 수행하여 막의 결함을 저하시킨다.
대표청구항
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기판 및상기 기판에 배치되고, 산소가 풍부한 표면층을 포함하는 위상변이 층을 포함하며,500nm 미만의 선택된 파장에서 0.001% 이상의 광 투과율 및 실질적으로 180°위상변이를 갖는 포토마스크를 생성시킬 수 있는,리토그래피에 사용하기 위한 감쇠 위상변이 마스크 블랭크.제 1 항에 있어서,상기 위상변이 층이 화학식 AwBxNyOz의 복합 물질을 포함하고, 여기서 A가 IVA족, VA족 또는 VIA족 원소로 이루어진 군으로부터 선택된 원소이고, B가 II족, IV족, V족, 전이금속, 란탄 계열 및 악티니드 계열 원소로 이루어진
기판 및상기 기판에 배치되고, 산소가 풍부한 표면층을 포함하는 위상변이 층을 포함하며,500nm 미만의 선택된 파장에서 0.001% 이상의 광 투과율 및 실질적으로 180°위상변이를 갖는 포토마스크를 생성시킬 수 있는,리토그래피에 사용하기 위한 감쇠 위상변이 마스크 블랭크.제 1 항에 있어서,상기 위상변이 층이 화학식 AwBxNyOz의 복합 물질을 포함하고, 여기서 A가 IVA족, VA족 또는 VIA족 원소로 이루어진 군으로부터 선택된 원소이고, B가 II족, IV족, V족, 전이금속, 란탄 계열 및 악티니드 계열 원소로 이루어진 군으로부터 선택되고, w가 0.1 내지 0.6이고, x가 0.01 내지 0.2이고, y가 0 내지 0.6이며, z가 0 내지 0.7인 감쇠 위상변이 마스크 블랭크.제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 위상변이 층이 규소/티탄/질소 복합체 및 규소/티탄/질소/산소 복합체로 이루어진 군으로부터 선택된 물질을 포함하는 감쇠 위상변이 마스크 블랭크.제 3 항에 있어서,상기 규소/티탄/질소 복합체가 화학식 SiwTixNy을 갖고, 여기서 w가 0.1 내지 0.6이고, x가 0.01 내지 0.2이며, y가 0.3 내지 0.6인 감쇠 위상변이 마스크 블랭크.제 3 항에 있어서,상기 규소/티탄/질소/산소 복합체가 화학식 SiwTixNyOz을 갖고, 여기서 w가 0.1 내지 0.6이고, x가 0.01 내지 0.2이고, y가 0 내지 0.6이며, z가 0 내지 0.7인 감쇠 위상변이 마스크 블랭크.제 1 항 내지 제 5 항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 위상변이 층이 약 400 내지 약 2000Å의 두께를 갖고, 이때 상기 산소가 풍부한 표면층이 약 10 내지 약 150Å의 두께를 갖는 감쇠 위상변이 마스크 블랭크.기판을 제공하는 단계;상기 기판에 박층의 위상변이 층을 침착시키는 단계; 및상기 위상변이 층에 산소가 풍부한 표면층을 형성하는 단계를 포함하며,500nm 미만의 선택된 파장에서 0.001% 이상의 광 투과율 및 180°위상변이를 갖는 포토마스크를 생성시킬 수 있는,리토그래피에 사용하기 위한 감쇠 위상변이 마스크 블랭크의 제조방법.제 7 항에 있어서,상기 위상변이 층이 화학식 AwBxNyOz의 복합 물질을 포함하고, 여기서 A가 IVA족, VA족 또는 VIA족 원소로 이루어진 군으로부터 선택된 원소이고, B가 II족, IV족, V족, 전이금속, 란탄 계열 및 악티니드 계열 원소로 이루어진 군으로부터 선택되고, w가 0.1 내지 0.6이고, x가 0.01 내지 0.2이고, y가 0 내지 0.6이며, z가 0 내지 0.7인 감쇠 위상변이 마스크 블랭크의 제조방법.제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,상기 위상변이 층이 규소/티탄/질소 복합체 및 규소/티탄/질소/산소 복합체로 이루어진 군으로부터 선택된 물질을 포함하는 감쇠 위상변이 마스크 블랭크의 제조방법.제 9 항에 있어서,상기 규소/티탄/질소 복합체가 화학식 SiwTixNy을 갖고, 여기서 w가 0.1 내지 0.6이고, x가 0.01 내지 0.2이고, y가 0.3 내지 0.6이며, z가 0 내지 0.7인 감쇠 위상변이 마스크 블랭크의 제조방법.제 9 항에 있어서,상기 규소/티탄/질소/산소 복합체가 화학식 SiwTixNyOz을 갖고, 여기서 w가 0.1 내지 0.6이고, x가 0.01 내지 0.2이고, y가 0 내지 0.6이며, z가 0 내지 0.7인 감쇠 위상변이 마스크 블랭크의 제조방법.<
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