초록 ▼

본 발명은 화학기상증착(CHEMICAL VAPOR DEPOSITION)을 이용하여 웨이퍼에 금속층을 증착할 시 리프트 핀에 알루미늄의 증착을 억제하는 반도체 제조설비의 리프트 핀 및 그 제조방법에 관한 것이다. CVD장치에서 공정진행 중에 CVD AL이 증착되지 않도록 하여 웨이퍼 브로큰이나 리프트핀의 파손을 방지하는 본 발명의 반도체 제조설비의 리프트핀은, SUS재질로 형성된 리프트핀을 설정된 온도에서 설정된 시간동안 산화시켜 CVD공정 진행 중에 CVD 알루미늄이 증착되지 않도록 한다.

본 발명은 화학기상증착(CHEMICAL VAPOR DEPOSITION)을 이용하여 웨이퍼에 금속층을 증착할 시 리프트 핀에 알루미늄의 증착을 억제하는 반도체 제조설비의 리프트 핀 및 그 제조방법에 관한 것이다. CVD장치에서 공정진행 중에 CVD AL이 증착되지 않도록 하여 웨이퍼 브로큰이나 리프트핀의 파손을 방지하는 본 발명의 반도체 제조설비의 리프트핀은, SUS재질로 형성된 리프트핀을 설정된 온도에서 설정된 시간동안 산화시켜 CVD공정 진행 중에 CVD 알루미늄이 증착되지 않도록 한다. 본 발명은 CVD 공정쳄버에서 SUS재질로 제작한 후 그 표면을 산화시킨 히터와 리프트핀을 사용하므로, CVD공정을 진행할 시 리프트핀이 알루미늄에 의해 증착되지 않아 리프트링이 하강할 때 리프트핀이 중력에 의한 하강되지 못하므로 인한 웨이퍼의 브로큰을 방지하고, 또한 개구부를 통해 인입되는 로봇에 의해 리프트핀이 파손되는 것을 방지한다.

대표청구항

반도체 제조설비의 리프트핀에 있어서, 스텐렌스재질로 형성된 리프트핀을 설정된 온도에서 설정된 시간동안 산화시켜 CVD공정 진행 중에 알루미늄이 증착되지 않도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 리프트핀.

반도체 제조설비의 리프트핀에 있어서, 스텐렌스재질로 형성된 리프트핀을 설정된 온도에서 설정된 시간동안 산화시켜 CVD공정 진행 중에 알루미늄이 증착되지 않도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 리프트핀.