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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2004-0000935 (2004-01-07) |
공개번호 | 10-2005-0072586 (2005-07-12) |
등록번호 | 10-0558927-0000 (2006-03-02) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020040000935 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2004-01-07) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 유도결합 플라즈마 방식과 반응성 이온 식각 방식을 이용한 웨이퍼 에지 식각 장치를 개시한다. 개시된 본 발명은, 외부와 격리되는 환경을 제공하는 공정 챔버; 상기 공정 챔버 내에 웨이퍼가 장착되는 웨이퍼 장착부; 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생부; 및 플라즈마를 가속시키는 플라즈마 가속부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 유도결합 플라즈마 방식으로 고밀도의 균일한 플라즈마를 발생시키고 이 플라즈마에 있는 반응성 이온과 라디칼을 바이어스에 의해 웨이퍼 에지로 가속하여 웨이퍼 에지를 반응성 이온 식각한다
외부와 격리되는 환경을 제공하는 공정 챔버|상기 공정 챔버 내에 웨이퍼가 장착되는 웨이퍼 장착부|상기 공정 챔버 내부로 제공되는 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생부| 및상기 플라즈마 발생부에서 생성된 플라즈마를 상기 웨이퍼 장착부에 장착되는 웨이퍼의 에지쪽으로 가속시키는 플라즈마 가속부를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 에지 식각 장치.제1항에 있어서,상기 웨이퍼 장착부는,상기 공정 챔버 내에 장착되는 웨이퍼의 센터는 플라즈마에 노출되지 아니하고,상기 공정 챔버 내에 장착되는 웨이퍼의 에지는 플라즈마에 노출되도록 하는 것을
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