초록 ▼

본 발명은 유도결합 플라즈마 방식과 반응성 이온 식각 방식을 이용한 웨이퍼 에지 식각 장치를 개시한다. 개시된 본 발명은, 외부와 격리되는 환경을 제공하는 공정 챔버; 상기 공정 챔버 내에 웨이퍼가 장착되는 웨이퍼 장착부; 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생부; 및 플라즈마를 가속시키는 플라즈마 가속부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 유도결합 플라즈마 방식으로 고밀도의 균일한 플라즈마를 발생시키고 이 플라즈마에 있는 반응성 이온과 라디칼을 바이어스에 의해 웨이퍼 에지로 가속하여 웨이퍼 에지를 반응성 이온 식각한다

본 발명은 유도결합 플라즈마 방식과 반응성 이온 식각 방식을 이용한 웨이퍼 에지 식각 장치를 개시한다. 개시된 본 발명은, 외부와 격리되는 환경을 제공하는 공정 챔버; 상기 공정 챔버 내에 웨이퍼가 장착되는 웨이퍼 장착부; 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생부; 및 플라즈마를 가속시키는 플라즈마 가속부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 유도결합 플라즈마 방식으로 고밀도의 균일한 플라즈마를 발생시키고 이 플라즈마에 있는 반응성 이온과 라디칼을 바이어스에 의해 웨이퍼 에지로 가속하여 웨이퍼 에지를 반응성 이온 식각한다. 이에 따라, 웨이퍼 윗면 및 뒷면 에지에 대한 식각을 충분히 수행할 수 있다.

대표청구항 ▼

외부와 격리되는 환경을 제공하는 공정 챔버|상기 공정 챔버 내에 웨이퍼가 장착되는 웨이퍼 장착부|상기 공정 챔버 내부로 제공되는 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생부| 및상기 플라즈마 발생부에서 생성된 플라즈마를 상기 웨이퍼 장착부에 장착되는 웨이퍼의 에지쪽으로 가속시키는 플라즈마 가속부를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 에지 식각 장치.제1항에 있어서,상기 웨이퍼 장착부는,상기 공정 챔버 내에 장착되는 웨이퍼의 센터는 플라즈마에 노출되지 아니하고,상기 공정 챔버 내에 장착되는 웨이퍼의 에지는 플라즈마에 노출되도록 하는 것을

외부와 격리되는 환경을 제공하는 공정 챔버|상기 공정 챔버 내에 웨이퍼가 장착되는 웨이퍼 장착부|상기 공정 챔버 내부로 제공되는 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생부| 및상기 플라즈마 발생부에서 생성된 플라즈마를 상기 웨이퍼 장착부에 장착되는 웨이퍼의 에지쪽으로 가속시키는 플라즈마 가속부를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 에지 식각 장치.제1항에 있어서,상기 웨이퍼 장착부는,상기 공정 챔버 내에 장착되는 웨이퍼의 센터는 플라즈마에 노출되지 아니하고,상기 공정 챔버 내에 장착되는 웨이퍼의 에지는 플라즈마에 노출되도록 하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 에지 식각 장치.제1항 또는 제2항에 있어서,상기 웨이퍼 장착부는,웨이퍼가 올려지는 하부 절연체| 및상기 하부 절연체에 올려지는 웨이퍼의 센터를 덮는 상부 절연체를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 에지 식각 장치.제3항에 있어서,상기 하부 절연체 및 상기 상부 절연체는 세라믹으로 구성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 에지 식각 장치.제3항 또는 제4항에 있어서,상기 상부 절연체는 상기 하부 절연체에 올려지는 웨이퍼의 에지를 향하여 경사져 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 에지 식각 장치.제3항 또는 제4항에 있어서,상기 하부 절연체는 이동 장치에 연결되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 에지 식각 장치.제1항에 있어서,상기 플라즈마 발생부는,반응 가스가 제공되는 관|상기 관을 통해 제공되는 반응 가스가 채워지는 용기| 및상기 용기에 채워지는 반응 가스에 고주파를 인가하는 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 에지 식각 장치.제1항에 있어서,상기 플라즈마 가속부는,상기 웨이퍼 장착부에 장착되는 웨이퍼의 에지 하단부에 있는 전극| 및상기 전극에 음의 바이어스를 인가하는 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 에지 식각 장치.제1항에 있어서,상기 공정 챔버는 절연체로 구성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 에지 식각 장치.제1항에 있어서,상기 공정 챔버의 하단부는 배출 장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 에지 식각 장치.외부와 격리되는 환경을 제공하는 공정 챔버|반응 가스가 제공되는 관과 상기 관을 통해 제공되는 반응 가스가 채워지는 용기와 상기 용기에 채워지는 반응 가스에 고주파를 인가하는 장치를 포함하며, 상기 공정 챔버 내부로 플라즈마를 제공하는 플라즈마 발생부|웨이퍼가 올려지는 하부 절연체와 상기 하부 절연체에 올려지는 웨이퍼의 센터를 덮는 상부 절연체를 포함하며, 상기 플라즈마 발생부에서 제공된 플라즈마에 웨이퍼 센터는 노출되지 아니하고 웨이퍼 에지는 노출되도록 웨이퍼를 장착하는 웨이퍼 장착부| 및상기 웨이퍼 장착부에 장착되는 웨이퍼의 에지 하단부에 있는 전극과 상기 전극에 음의 바이어스를 인가하는 장치를 포함하며, 상기 플라즈마 발생부에서 제공된 플라즈마를 가속시켜 상기 웨이퍼 장착부에 장착되는 웨이퍼의 에지를 식각하는 플라즈마 가속부를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 에지 식각 장치.제11항에 있어서,상기 하부 절연체 및 상기 상부 절연체는 세라믹으로 구성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 에지 식각 장치.제11항 또는 제12항에 있어서,상기 상부 절연체는 상기 하부 절연체에 올려지는 웨이퍼의 에지를 향하여 경사져 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 에지 식각 장치.제11항 또는 제12항에 있어서,상기 하부 절연체는 이동 장치에 연결되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 에지 식각 장치.제11항에 있어서,상기 공정 챔버는 절연체로 구성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 에지 식각 장치.제11항에 있어서,상기 공정 챔버의 하단부는 배출 장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 에지 식각 장치.