[특허]다수의 나노 와이어 채널을 구비한 멀티 브릿지 채널 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법

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[한국특허] 다수의 나노 와이어 채널을 구비한 멀티 브릿지 채널 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법
Multi bridge channel field effect transistorcomprising nano-wire channels and method ofmanufacturing the same 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)	H01L-029/78
출원번호	10-2004-0086555 (2004-10-28)
공개번호	10-2006-0037561 (2006-05-03)
등록번호	10-0652381-0000 (2006-11-24)
DOI	http://doi.org/10.8080/1020040086555
발명자 / 주소	리밍 / 경기도 용인시 기흥읍 농서리 산 남자기숙사 상록수 호 김성민 / 인천 부평구 부개동 삼부아파트 *-**
출원인 / 주소	삼성전자주식회사 / 경기도 수원시 영통구 매탄동 ***
대리인 / 주소	리앤목특허법인; 이해영 (Y.P.LEE, MOCK&PARTNERS) 서울 서초구 서초동***-번지 고려빌딩(리앤목 특허법인); 서울 서초구 서초동***-(리앤목 특허법인)
심사청구여부	있음 (2004-10-28)
심사진행상태	등록결정(심사전치후)
법적상태	소멸

초록 ▼

다수의 나노 와이어 채널을 구비한 MBCFET 및 그것의 제조방법을 개시한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 MBCFET은 다수의 나노 와이어 채널을 구비하는 전계 효과 트랜지스터로서, 상기한 전계 효과 트랜지스터를 구성하는 액티브 패턴은 반도체 기판의 상면으로부터 이격되어서 형성되어 있으며, 서로 이격되어 있는 1쌍의 소오스/드레인 패턴과 상기한 1쌍의 소오스/드레인 패턴 사이에 서로 이격되어 개재되어 있되, 수평 방향으로 평행하게 어레이되어 있는 1쌍의 와이어 채널 패턴을 포함한다. 그리고, 상기한 1쌍의 채널 패턴을 둘러싸도

대표청구항 ▼

반도체 기판; 상기 반도체 기판의 상면으로부터 이격되어서 형성되어 있는 제1 액티브 패턴으로서, 서로 이격되어 있는 1쌍의 소오스/드레인 패턴과 상기 1쌍의 소오스/드레인 패턴 사이에 서로 이격되어 개재되어 있되, 수평 방향으로 평행하게 어레이되어 있는 1쌍의 와이어 채널 패턴을 포함하는 상기 제1 액티브 패턴; 상기 1쌍의 채널 패턴을 둘러싸도록 상기 채널 패턴의 외면에 형성되어 있는 게이트 절연막; 및 상기 게이트 절연막을 둘러싸도록 상기 1쌍의 소

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[한국] 나노선 다중채널 전계효과 트랜지스터 소자의 제조방법 | 변영태, 김선호, 이석, 우덕하, 김수현
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특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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