초록 ▼

관통 누출이 없는 반도체 제조 장치용의 수냉(水冷) 가능한 고정도(高精度) 정전 척(CHUCK) 모듈을 제공한다. CU계 복합 재료에 있어서 열 팽창률이 큰 CU 및 NI와 열 팽창률이 작은 W, MO를 적절한 조성비로 함으로써, 정전 척용 알루미나 소재와 열 팽창률이 일치하는 고열전도 소재가 얻어진다. 이 복합 재료는 관통 누출이 있어, 진공 장치에는 사용되지 않지만, 단조 가공을 함으로써 관통 누출을 방지할 수 있고, 또한 수냉(水冷) 플레이트로 사용하기 위해서는 물에 대한 내식성(耐蝕性)이 중요하지만, 이것은 도금, 스퍼터

관통 누출이 없는 반도체 제조 장치용의 수냉(水冷) 가능한 고정도(高精度) 정전 척(CHUCK) 모듈을 제공한다. CU계 복합 재료에 있어서 열 팽창률이 큰 CU 및 NI와 열 팽창률이 작은 W, MO를 적절한 조성비로 함으로써, 정전 척용 알루미나 소재와 열 팽창률이 일치하는 고열전도 소재가 얻어진다. 이 복합 재료는 관통 누출이 있어, 진공 장치에는 사용되지 않지만, 단조 가공을 함으로써 관통 누출을 방지할 수 있고, 또한 수냉(水冷) 플레이트로 사용하기 위해서는 물에 대한 내식성(耐蝕性)이 중요하지만, 이것은 도금, 스퍼터링 등에 의해, NI, CR, CU 박막을 붙임으로써 개선할 수 있다.

대표청구항 ▼

알루미나제 정전 척 플레이트와 냉각 플레이트를 접합하여 이루어지는 정전 척 모듈에 있어서, 상기 냉각 플레이트의 소재는 Cu-W, Cu-W-Ni, Cu-Mo, Cu-Mo-Ni 등의 Cu계 복합 재료를 단조(鍛造) 가공한 것인 것을 특징으로 하는 정전 척 모듈.제 1 항에 있어서, 상기 Cu계 복합 재료를 단조 가공한 냉각 플레이트는 이론(理論) 밀도비(密度比) 97% 이상으로, 제조 공정에서 5% 이상의 단조 가공이 실시되어 있는 것을 특징으로 하는 정전 척 모듈.제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 냉각 플레이트의 열 팽창률

알루미나제 정전 척 플레이트와 냉각 플레이트를 접합하여 이루어지는 정전 척 모듈에 있어서, 상기 냉각 플레이트의 소재는 Cu-W, Cu-W-Ni, Cu-Mo, Cu-Mo-Ni 등의 Cu계 복합 재료를 단조(鍛造) 가공한 것인 것을 특징으로 하는 정전 척 모듈.제 1 항에 있어서, 상기 Cu계 복합 재료를 단조 가공한 냉각 플레이트는 이론(理論) 밀도비(密度比) 97% 이상으로, 제조 공정에서 5% 이상의 단조 가공이 실시되어 있는 것을 특징으로 하는 정전 척 모듈.제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 냉각 플레이트의 열 팽창률과 알루미나제 정전 척 플레이트의 열 팽창률의 차가 2 × 10-6/℃ 이하인 것을 특징으로 하는 정전 척 모듈.제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 냉각 플레이트의 통수로(通水路) 표면에는 도금, PVD, CVD 등의 방법에 의해, Ni, Cu, Cr, Ti 또는 Sn의 박막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 정전 척 모듈.제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 냉각 플레이트와 알루미나제 정전 척 플레이트를 접합한 후에 평면도 5㎛ 이하가 될 때까지 정전 척 플레이트 표면이 고정도(高精度) 가공되어 있는 것을 특징으로 하는 정전 척 모듈.제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 알루미나제 정전 척 플레이트 외주 하단은 언더 컷(under-cut)되고, 이 언더 컷된 부분에 연속하도록 냉각 플레이트의 외주면을 덮는 알루미나막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 정전 척 모듈.제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 정전 척 모듈에서 냉매로서 순수(純水)를 사용하는 것을 특징으로 하는 냉각 시스템.