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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2005-0134727 (2005-12-30) |
등록번호 | 10-0731078-0000 (2007-06-15) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020050134727 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2005-12-30) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 MOM 커패시터의 집적도를 높이는 방법을 제공함으로써 MIM 커패시터를 대체할 수 있도록 하는데 그 목적이 있다.상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본발명은, 상부전극 및 하부전극을 금속으로 사용하는 구조의 커패시터의 제조방법에 있어서 복수개의 제 1 도전성 라인들과 상기 제 1 도전성 라인들을 연결하는 복수개의 플러그가 형성된 복수개의 제 1 전극과, 복수개의 제 2 도전성 라인들과 상기 제 2 도전성 라인들을 연결하는 복수개의 플러그가 형성된 복수개의 제 2 전극과, 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 형성된
수직으로 적층된 복수개의 제 1 도전성 라인 및 상기 제 1 도전성 라인을 연결하는 플러그로 구성되는 복수개의 제 1 전극과,상기 제 1 전극에 대항하고, 수직으로 적층된 복수개의 제 2 도전성 라인 및 상기 제 2 도전성 라인을 연결하는 플러그로 구성되는 복수개의 제 2 전극과,상기 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 형성된 산화막으로 구성되는 MOM(METAL-OXIDE-METAL)커패시터에 있어서,상기 제 1 전극들과 제 2 전극들이 제 1 방향을 따라 교번적으로 배열됨과 아울러, 상기 제 1 방향에 교차하는 제 2 방향을 따라
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