초록 ▼

높은 동작 성능을 제공할 수 있는 게이트-올-어라운드(GAA) 구조의 반도체 소자가 제공된다. 본 발명에 따른 GAA 구조의 반도체 소자는 반도체 기판, 공통 게이트 전극 및 게이트 절연막을 포함한다. 반도체 기판은 몸체, 몸체로부터 각각 상향 돌출된 한 쌍의 지지기둥들 및 몸체로부터 이격되고 한 쌍의 지지기둥들에 양단이 각각 연결되어 지지되는 한 쌍의 핀들을 포함한다. 공통 게이트 전극은 반도체 기판의 한 쌍의 핀들의 각각의 일 부분을 한바퀴 둘러싸고 반도체 기판으로부터 절연되어 반도체 기판의 한 쌍의 핀들에 공통으로 대응된다.

높은 동작 성능을 제공할 수 있는 게이트-올-어라운드(GAA) 구조의 반도체 소자가 제공된다. 본 발명에 따른 GAA 구조의 반도체 소자는 반도체 기판, 공통 게이트 전극 및 게이트 절연막을 포함한다. 반도체 기판은 몸체, 몸체로부터 각각 상향 돌출된 한 쌍의 지지기둥들 및 몸체로부터 이격되고 한 쌍의 지지기둥들에 양단이 각각 연결되어 지지되는 한 쌍의 핀들을 포함한다. 공통 게이트 전극은 반도체 기판의 한 쌍의 핀들의 각각의 일 부분을 한바퀴 둘러싸고 반도체 기판으로부터 절연되어 반도체 기판의 한 쌍의 핀들에 공통으로 대응된다. 그리고, 게이트 절연막은 공통 게이트 전극 및 반도체 기판의 한 쌍의 핀들 사이에 개재된다.

대표청구항

몸체, 상기 몸체로부터 각각 상향 돌출된 한 쌍의 지지기둥들 및 상기 몸체로부터 이격되고 상기 한 쌍의 지지기둥들에 양단이 각각 연결되어 지지되는 한 쌍의 핀들을 포함하는 반도체 기판;상기 반도체 기판의 한 쌍의 핀들의 각각의 일 부분을 한바퀴 둘러싸고 상기 반도체 기판으로부터 절연되어 상기 반도체 기판의 한 쌍의 핀들에 공통으로 대응되는 공통 게이트 전극; 및상기 공통 게이트 전극 및 상기 반도체 기판의 한 쌍의 핀들 사이에 개재된 게이트 절연막을 포함하는 것을 특징으로 하는 게이트-올-어라운드 구조의 반도체 소자.

몸체, 상기 몸체로부터 각각 상향 돌출된 한 쌍의 지지기둥들 및 상기 몸체로부터 이격되고 상기 한 쌍의 지지기둥들에 양단이 각각 연결되어 지지되는 한 쌍의 핀들을 포함하는 반도체 기판;상기 반도체 기판의 한 쌍의 핀들의 각각의 일 부분을 한바퀴 둘러싸고 상기 반도체 기판으로부터 절연되어 상기 반도체 기판의 한 쌍의 핀들에 공통으로 대응되는 공통 게이트 전극; 및상기 공통 게이트 전극 및 상기 반도체 기판의 한 쌍의 핀들 사이에 개재된 게이트 절연막을 포함하는 것을 특징으로 하는 게이트-올-어라운드 구조의 반도체 소자.