초록

디바이스는 제1 반도체 스트립, 제1 반도체 스트립을 에워싸는 제1 게이트 유전체, 제1 반도체 스트립과 오버랩하는 제2 반도체 스트립, 및 제2 반도체 스트립을 에워싸는 제2 게이트 유전체를 포함한다. 제1 게이트 유전체는 제2 게이트 유전체와 접촉한다. 게이트 전극은 제2 반도체 스트립 위의 일부분과, 제1 및 제2 게이트 유전체들과 제1 및 2 반도체 스트립들의 대향 측면들 상의 추가적인 부분들을 갖는다.

대표청구항 ▼

디바이스에 있어서,제1 반도체 스트립;상기 제1 반도체 스트립을 에워싸는 제1 게이트 유전체;상기 제1 반도체 스트립과 오버랩하는 제2 반도체 스트립;상기 제2 반도체 스트립을 에워싸는 제2 게이트 유전체로서, 상기 제1 게이트 유전체는 상기 제2 게이트 유전체와 접촉하는 것인, 상기 제2 게이트 유전체;상기 제2 반도체 스트립 위에 있는 제1 부분과, 상기 제1 게이트 유전체와 상기 제2 게이트 유전체 및 상기 제1 반도체 스트립과 상기 제2 반도체 스트립의 대향 측면들 상에 있는 부분들을 갖는 게이트 전극;제1 얕은 트렌치 격리

디바이스에 있어서,제1 반도체 스트립;상기 제1 반도체 스트립을 에워싸는 제1 게이트 유전체;상기 제1 반도체 스트립과 오버랩하는 제2 반도체 스트립;상기 제2 반도체 스트립을 에워싸는 제2 게이트 유전체로서, 상기 제1 게이트 유전체는 상기 제2 게이트 유전체와 접촉하는 것인, 상기 제2 게이트 유전체;상기 제2 반도체 스트립 위에 있는 제1 부분과, 상기 제1 게이트 유전체와 상기 제2 게이트 유전체 및 상기 제1 반도체 스트립과 상기 제2 반도체 스트립의 대향 측면들 상에 있는 부분들을 갖는 게이트 전극;제1 얕은 트렌치 격리 영역과 제2 얕은 트렌치 격리 영역; 및상기 제1 얕은 트렌치 격리 영역과 상기 제2 얕은 트렌치 격리 영역 사이에 있는 실리콘 게르마늄 산화물층을 포함하며, 상기 제1 반도체 스트립과 상기 제2 반도체 스트립은 상기 실리콘 게르마늄 산화물층의 중간 부분과 오버랩하는 것인, 디바이스.