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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2013-7011602 (2013-05-03) | |
공개번호 | 10-2014-0009170 (2014-01-22) | |
우선권정보 | 미국(US) 13/227,589 (2011-09-08);미국(US) 61/389,917 (2010-10-05) | |
국제출원번호 | PCT/US2011/054981 (2011-10-05) | |
국제공개번호 | WO 2012/048041 (2012-04-12) | |
번역문제출일자 | 2013-05-03 | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020137011602 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사진행상태 | 취하(심사미청구) | |
법적상태 | 취하 |
유전체 층들을 형성하기 위한 방법들이 개시된다.그 방법들은 실리콘-질소-및-수소-함유 층을 기판 상에 형성하는 단계를 포함할 수 있을 것이다.그러한 방법들은 실리콘-질소-및-수소-함유 층을 실리콘-및-산소-함유 층으로 전환시키기 위해서 실리콘-질소-및-수소-함유 층을 오존 큐어링하는 단계를 포함한다.오존 큐어링 이후에, 상기 층이 어닐링 전에 저온에서 아민-물 조합에 노출된다.아민 큐어의 존재는, 실리콘-및-산소-함유 층으로의 변환이 어닐링 중에 저온에서 보다 신속하게 그리고 보다 완전하게 이루어질 수 있게 허용한다.또한, 아민 큐
실리콘-및-산소-함유 층을 기판 상에 형성하는 방법으로서, 상기 방법은:실리콘-질소-및-수소-함유 층을 상기 기판 상에 증착하는 단계; 상기 실리콘-질소-및-수소-함유 층을 상기 실리콘-및-산소-함유 층으로 변환하기 위해서 오존-함유 대기에서 그리고 오존 큐어링 온도에서 상기 실리콘-질소-및-수소-함유 층을 오존 큐어링하는 단계; 및 상기 실리콘-및-산소-함유 층을 형성하기 위해서 아민-함유 전구체 및 물을 포함하는 대기에서 그리고 아민 큐어링 온도에서 상기 실리콘-질소-및-수소-함유 층을 아민 큐어링하는 단계; 를 순차적으로 포함
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