초록 ▼

본 발명은 게이트 전극으로부터의 불순물의 확산을 충분히 억제하면서, 양호한 특성을 나타내는 게이트 절연막을 얻을 수 있는 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.Si 기판의 표면에, 소자 분리 절연막, n웰 및 p웰을 형성한 후, 전(前)처리로서, Si 기판의 세정을 행한다(스텝 S1).그 후, 하지(下地) 산화로서, Si 기판의 표면을 RTO법에 의해 열산화함으로써, 실리콘 산화막을 형성한다(스텝 S2).이어서, 실리콘 산화막에 대해서 플라스마 질화를 행한다(스텝 S3).이 플라스마 질화의 결과, 활성 질소의 도입에

본 발명은 게이트 전극으로부터의 불순물의 확산을 충분히 억제하면서, 양호한 특성을 나타내는 게이트 절연막을 얻을 수 있는 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.Si 기판의 표면에, 소자 분리 절연막, n웰 및 p웰을 형성한 후, 전(前)처리로서, Si 기판의 세정을 행한다(스텝 S1).그 후, 하지(下地) 산화로서, Si 기판의 표면을 RTO법에 의해 열산화함으로써, 실리콘 산화막을 형성한다(스텝 S2).이어서, 실리콘 산화막에 대해서 플라스마 질화를 행한다(스텝 S3).이 플라스마 질화의 결과, 활성 질소의 도입에 의해 실리콘 산화막이 질화되어, 실리콘산 질화막을 얻을 수 있다.다음에, 암모니아 분위기 중에서 어닐링을 행한다(스텝 S4).이 결과, 실리콘산 질화막 중의 표면 근방에 질소가 더 도입된다.이어서, 후 어닐링(포스트 어닐링)으로서, 질소 및 산소를 함유하는 분위기 중에서 어닐링을 행한다(스텝 S5).

대표청구항

반도체 기판의 표면에 절연막을 형성하는 공정과,상기 절연막에 활성 질소를 도입하는 공정과,상기 활성 질소가 도입된 상기 절연막에 대해서, NH3가스 분위기 중에서 제1 열 처리를 행하는 공정과, 상기 제1 열 처리 공정 후, 상기 활성 질소가 도입된 상기 절연막에 대해서, N2O 가스 및 NO 가스로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 가스의 분위기 중에서 제2 열 처리를 행하는 공정을 갖고, 상기 제1 열 처리의 온도보다 높은 온도로 상기 제2 열 처리를 행하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.

반도체 기판의 표면에 절연막을 형성하는 공정과,상기 절연막에 활성 질소를 도입하는 공정과,상기 활성 질소가 도입된 상기 절연막에 대해서, NH3가스 분위기 중에서 제1 열 처리를 행하는 공정과, 상기 제1 열 처리 공정 후, 상기 활성 질소가 도입된 상기 절연막에 대해서, N2O 가스 및 NO 가스로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 가스의 분위기 중에서 제2 열 처리를 행하는 공정을 갖고, 상기 제1 열 처리의 온도보다 높은 온도로 상기 제2 열 처리를 행하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.