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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2006-0092883 (2006-09-25) |
등록번호 | 10-0752202-0000 (2007-08-20) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020060092883 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2006-09-25) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
반도체 웨이퍼 세정 방법이 개시된다. 본 방법은, 75℃ 이상으로 유지된 산성 또는 알카리성 케미칼 세정액을 이용하여 금속막 식각 공정후 생성된 폴리머 잔류물을 제거하는 반도체 웨이퍼의 세정 방법으로서, 상기 케미칼 세정액이 수용된 제1 베쓰 내에 반도체 웨이퍼를 침지하는 케미칼 세정 단계와, 이소프로필알코올이 40℃ 내지 75℃의 온도로 유지된 제2 베쓰 내에 상기 웨이퍼를 침지하는 제1 린스 단계와, 이소프로필알코올이 상온으로 유지된 제3 베쓰 내에 상기 웨이퍼를 침지하는 제2 린스 단계와, 탈이온수가 상온으로 유지된 제4 베
75℃ 이상으로 유지된 산성 또는 알카리성 케미칼 세정액을 이용하여 금속막 식각 공정후 생성된 폴리머 잔류물을 제거하는 반도체 웨이퍼의 세정 방법으로서,상기 케미칼 세정액이 수용된 제1 베쓰 내에 반도체 웨이퍼를 침지하는 케미칼 세정 단계와,이소프로필알코올이 40℃ 내지 75℃의 온도로 유지된 제2 베쓰 내에 상기 웨이퍼를 침지하는 제1 린스 단계와,이소프로필알코올이 상온으로 유지된 제3 베쓰 내에 상기 웨이퍼를 침지하는 제2 린스 단계와,탈이온수가 상온으로 유지된 제4 베쓰 내에 상기 웨이퍼를 침지하는 웨이퍼 세척 단계와, 탈이온
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