초록 ▼

확산을 위한 별도의 열처리 공정이 필요없는 PN 접합 방법 및 그 구조가 개시된다. 웨이퍼에 제1 도전형을 구비한 제1 반도체 영역을 형성하기 위해 제1 이온입자를 주입한 후에, 고온의 환경에서 제2 도전형을 구비한 제2 반도체 영역을 형성하기 위해 제2 이온입자를 주입함과 동시에 제1 이온입자 및 제2 이온입자를 확산시키게 된다. 즉, 제2 이온입자의 주입과 확산을 동시에 수행하여 별도의 제1 이온입자 및 제2 이온입자의 확산을 위한 열처리 공정을 생략함으로서, 공정수를 줄일 수 있을 뿐만 아니라, 생산 효율이 향상되고 품질이

확산을 위한 별도의 열처리 공정이 필요없는 PN 접합 방법 및 그 구조가 개시된다. 웨이퍼에 제1 도전형을 구비한 제1 반도체 영역을 형성하기 위해 제1 이온입자를 주입한 후에, 고온의 환경에서 제2 도전형을 구비한 제2 반도체 영역을 형성하기 위해 제2 이온입자를 주입함과 동시에 제1 이온입자 및 제2 이온입자를 확산시키게 된다. 즉, 제2 이온입자의 주입과 확산을 동시에 수행하여 별도의 제1 이온입자 및 제2 이온입자의 확산을 위한 열처리 공정을 생략함으로서, 공정수를 줄일 수 있을 뿐만 아니라, 생산 효율이 향상되고 품질이 우수한 PN 접합 방법 및 구조를 얻을 수 있다.

대표청구항

웨이퍼를 제공하는 단계;상기 웨이퍼에 패턴을 형성하는 단계;상기 웨이퍼에 제1 도전형을 구비한 제1 반도체 영역을 형성하기 위해 제1 이온입자를 주입하는 단계;고온의 환경에서 제2 도전형을 구비한 제2 반도체 영역을 형성하기 위해 제2 이온입자를 주입함과 동시에 제1 이온입자 및 제2 이온입자를 확산시키는 단계; 및전극을 형성하는 단계;를 포함하는 PN 접합 방법.

웨이퍼를 제공하는 단계;상기 웨이퍼에 패턴을 형성하는 단계;상기 웨이퍼에 제1 도전형을 구비한 제1 반도체 영역을 형성하기 위해 제1 이온입자를 주입하는 단계;고온의 환경에서 제2 도전형을 구비한 제2 반도체 영역을 형성하기 위해 제2 이온입자를 주입함과 동시에 제1 이온입자 및 제2 이온입자를 확산시키는 단계; 및전극을 형성하는 단계;를 포함하는 PN 접합 방법.