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| 국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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| 국제특허분류(IPC8판) |
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| 출원번호 | 10-2013-0021867 (2013-02-28) | |
| 등록번호 | 10-1415599-0000 (2014-06-30) | |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1020130021867 | |
| 발명자 / 주소 |
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| 출원인 / 주소 |
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| 대리인 / 주소 |
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| 심사청구여부 | 있음 (2013-02-28) | |
| 심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
| 법적상태 | 소멸 |
본 발명의 PN 접합 다이오드 제조방법은, 반도체 기판 상에 반도체 확산층을 형성하는 제1단계와, 상기 반도체 확산층에 불순물을 주입하여 N+층을 형성하는 제2단계와, 상기 N+층 상에 제1 금속막을 형성하는 제3단계와, 상기 제1 금속막 상에 제1 감광막을 도포한 후 광 리소그래피 공정으로 감광막 마스크를 형성하는 제4단계와, 상기 감광막 마스크를 이용하여 제1 금속막, N+층 및 반도체 확산층을 차례로 건식 식각하는 제5단계와, 상기 제5단계 이후의 제1 금속막 상에 절연막과 제2 감광막을 형성하는 제6단계, 및 제2 감광막과
반도체 기판 상에 반도체 확산층을 형성하는 제1단계와;상기 반도체 확산층에 불순물을 주입하여 N+층을 형성하는 제2단계와; 상기 N+층 상에 제1 금속막을 형성하는 제3단계와;상기 제1 금속막 상에 제1 감광막을 도포한 후 광 리소그래피 공정으로 감광막 마스크를 형성하는 제4단계와;상기 감광막 마스크를 이용하여 상기 제1 금속막, 상기 N+층 및 상기 반도체 확산층을 차례로 건식 식각하는 제5단계와;상기 제5단계 이후의 제1 금속막 상에 절연막과 제2 감광막을 형성하는 제6단계; 및상기 제2 감광막과 상기 절연막을 차례로 제거하여
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